| 中文摘要 | 第1页 |
| 中文关键词 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 英文关键词 | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1．1 液晶的发现及其定义 | 第8页 |
| 1．2 液晶材料的分类和性质 | 第8-10页 |
| 1．3 液晶材料物性研究的历史 | 第10页 |
| 1．4 液晶的应用研究 | 第10-11页 |
| ·液晶显示器的分类及特点 | 第11-12页 |
| 1．6 本论文研究重点及意义 | 第12-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 有源矩阵液晶显示器 | 第18-31页 |
| 2．1 引言 | 第18页 |
| 2．2 无源多路矩阵寻址液晶显示器的局限性 | 第18-21页 |
| 2．3端子有源矩阵液晶显示器 | 第21-29页 |
| 2．4 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 三端子有源矩阵液晶显示器 | 第31-58页 |
| 3．1 引言 | 第31-32页 |
| 3．2 三端子有源矩阵液晶显示器的工作原理 | 第32-34页 |
| 3．3 三端子有源矩阵液晶显示器的分类及各自特点 | 第34-41页 |
| 3．4 a-Si:H TFT-LCD液晶显示器 | 第41-55页 |
| 3．5 小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 a-Si:H TFT 器件静态特性模拟 | 第58-79页 |
| 4．1 引言 | 第58-59页 |
| 4．2 a-Si:H TFT工作机制 | 第59-61页 |
| 4．3 a-Si:H TFT器件静态特性模拟 | 第61-77页 |
| 4．4 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第五章 a-Si TFT阵列的优化设计 | 第79-109页 |
| 5．1 引言 | 第79-81页 |
| 5．2 a-Si TFT-LCD阵列基板的优化设计 | 第81-100页 |
| 5．3 新型存贮电容与黑矩阵的设计 | 第100-106页 |
| 5．4 本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-109页 |
| 第六章 高品质TFT阵列金属电极和象素电极的制备及性能研究 | 第109-145页 |
| 6．1 引言 | 第109-110页 |
| 6．2 实验设备及溅射原理简介 | 第110-112页 |
| 6．3 a-Si TFT栅电极材料的研究 | 第112-127页 |
| 6．4 ITO象素电极的研究 | 第127-142页 |
| 6．5 本章小结 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-145页 |
| 第七章 总结 | 第145-151页 |
| 参考文献 | 第150-151页 |
| 附录 | 第151-153页 |
| 一 作者简介 | 第151页 |
| 二 发表的主要学术论文 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153页 |