| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·电子封装材料 | 第10-13页 |
| ·0、1 级电子封装材料 | 第10-11页 |
| ·2、3 级电子封装材料 | 第11-13页 |
| ·SiC 颗粒增强电子封装材料的制备 | 第13-15页 |
| ·粉末冶金法 | 第13页 |
| ·压力浸渗法 | 第13-14页 |
| ·无压渗透法 | 第14-15页 |
| ·无压浸渗改善Al、SiCp 润湿性的方法 | 第15-17页 |
| ·SiCp 表面预处理 | 第15-16页 |
| ·基体添加活性元素 | 第16-17页 |
| ·其他因素 | 第17页 |
| ·研究意义 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-19页 |
| ·技术路线 | 第19-20页 |
| 2 β-SiCp/Al 电子封装材料的制备及工艺参数确定 | 第20-30页 |
| ·原材料 | 第20-21页 |
| ·β-SiCp | 第20页 |
| ·SiC 微粉的预处理 | 第20-21页 |
| ·铝合金 | 第21页 |
| ·复合材料试样的制备 | 第21-23页 |
| ·混料 | 第21页 |
| ·成型 | 第21-22页 |
| ·脱脂 | 第22页 |
| ·烧结 | 第22页 |
| ·无压浸渗 | 第22-23页 |
| ·工艺参数确定 | 第23-29页 |
| ·颗粒配比 | 第23-25页 |
| ·成型压力 | 第25-26页 |
| ·烧结温度 | 第26-27页 |
| ·浸渗温度 | 第27页 |
| ·SiC 的预处理 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 3 影响β-SiCp/Al 系统润湿及浸渗的因素与分析 | 第30-43页 |
| ·孕育期 | 第30-33页 |
| ·浸渗过程 | 第33-35页 |
| ·SiC 的表面处理对润湿及浸渗过程的影响 | 第35-37页 |
| ·SiC 颗粒氧化法 | 第35-37页 |
| ·溶胶SiO_2 涂层法 | 第37页 |
| ·添加 Mg 对润湿性的影响 | 第37-40页 |
| ·添加助渗剂对浸渗过程的影响 | 第40-41页 |
| ·浸渗机理 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 β-SiCp/Al 电子封装材料的显微组织 | 第43-53页 |
| ·显微组织及界面分析方法 | 第43-44页 |
| ·金相分析 | 第43页 |
| ·扫描电镜分析 | 第43页 |
| ·相分析 | 第43-44页 |
| ·β-SiCp/Al 复合材料的组织 | 第44-45页 |
| ·β-SiCp/Al 复合材料的界面状况 | 第45-46页 |
| ·界面反应与界面产物 | 第46-48页 |
| ·断裂分析 | 第48-51页 |
| ·基体的破坏 | 第49页 |
| ·增强相的破坏 | 第49-50页 |
| ·界面的破坏 | 第50-51页 |
| ·复合材料的孔洞的形成 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 β-SiCp/Al 电子封装材料的热学性能 | 第53-62页 |
| ·热膨胀性能 | 第53-58页 |
| ·材料的热膨胀 | 第53页 |
| ·热膨胀系数 | 第53-58页 |
| ·β-SiCp/Al 热导率的热导性能 | 第58-61页 |
| ·热导率模型 | 第58-59页 |
| ·SiCp 体积分数对热导率的影响 | 第59-60页 |
| ·致密度对热导率的影响 | 第60-61页 |
| ·颗粒尺寸对热导率的影响 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 6 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |