| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 超导体的发现及其基本特性 | 第11-13页 |
| 1.1.1 超导体的发现 | 第11页 |
| 1.1.2 超导体的临界参数 | 第11-13页 |
| 1.2 超导材料的发展及BCS理论 | 第13-17页 |
| 1.2.1 超导材料的发展 | 第13-14页 |
| 1.2.2 BCS理论 | 第14-17页 |
| 1.3 MgB_2的发现及其基本特性 | 第17-21页 |
| 1.3.1 MgB_2的晶体结构和能带结构 | 第18页 |
| 1.3.2 MgB_2的临界场与相干长度 | 第18-19页 |
| 1.3.3 MgB_2的弱连接性与临界电流密度 | 第19-21页 |
| 1.4 MgB_2薄膜的研究进展及应用 | 第21-28页 |
| 1.4.1 MgB_2薄膜的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.4.2 MgB_2薄膜的应用 | 第23-28页 |
| 1.5 电子束表面热处理技术的介绍 | 第28-31页 |
| 1.6 选题依据及研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 薄膜制备及性能表征方法 | 第33-40页 |
| 2.1 MgB_2薄膜的制备 | 第33-36页 |
| 2.1.1 衬底的选择与清洗 | 第33-34页 |
| 2.1.2 前驱膜的制备 | 第34-35页 |
| 2.1.3 电子束退火制备MgB_2超导薄膜 | 第35-36页 |
| 2.2 薄膜性能的表征方法 | 第36-40页 |
| 2.2.1 薄膜的形貌表征 | 第37页 |
| 2.2.2 聚焦离子束刻蚀 | 第37-38页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第38页 |
| 2.2.4 薄膜的电学性能表征 | 第38页 |
| 2.2.5 薄膜的磁学性能表征 | 第38-39页 |
| 2.2.6 光刻技术 | 第39-40页 |
| 第三章 MgB_2薄膜制备参数的优化 | 第40-54页 |
| 3.1 退火条件 | 第40-48页 |
| 3.1.1 退火温度 | 第40-45页 |
| 3.1.2 退火束斑和束流大小 | 第45-46页 |
| 3.1.3 退火时间 | 第46-48页 |
| 3.2 不同Mg、B比例对薄膜超导性能的影响 | 第48-53页 |
| 3.2.1 实验条件 | 第48-49页 |
| 3.2.2 结果与分析 | 第49-53页 |
| 3.3 小结 | 第53-54页 |
| 第四章 MgB_2薄膜表面粗糙度的研究 | 第54-64页 |
| 4.1 前驱膜表面粗糙度的研究 | 第54-58页 |
| 4.1.1 沉积速率对B膜粗糙度的影响 | 第55-56页 |
| 4.1.2 沉积速率对Mg膜粗糙度的影响 | 第56-58页 |
| 4.2 周期厚度对MgB_2薄膜表面粗糙度的影响 | 第58-62页 |
| 4.2.1 周期厚度 25nm的MgB_2薄膜特性 | 第58-60页 |
| 4.2.2 周期厚度 12.5nm的MgB_2薄膜特性 | 第60-62页 |
| 4.3 小结 | 第62-64页 |
| 第五章 电子束退火制备MgB_2超薄膜 | 第64-74页 |
| 5.1 电子束退火制备不同厚度的MgB_2超导薄膜 | 第65-72页 |
| 5.1.1 实验条件 | 第65页 |
| 5.1.2 不同厚度MgB_2薄膜的电学特性 | 第65-67页 |
| 5.1.3 不同厚度MgB_2薄膜的微观形貌特征 | 第67-70页 |
| 5.1.4 不同厚度MgB_2薄膜的磁学性能 | 第70-72页 |
| 5.2 5nm厚MgB_2薄膜的超导特性 | 第72-73页 |
| 5.3 小结 | 第73-74页 |
| 第六章 电子束退火制备MgB_2约瑟夫森结 | 第74-90页 |
| 6.1 MgB_2超导微桥的制备 | 第74-77页 |
| 6.1.1 实验条件 | 第74-75页 |
| 6.1.2 结果与讨论 | 第75-77页 |
| 6.2 三明治型MgB_2约瑟夫森结的制备 | 第77-81页 |
| 6.2.1 实验条件 | 第77-78页 |
| 6.2.2 结果与讨论 | 第78-81页 |
| 6.3 离子束刻蚀制备三明治型MgB_2约瑟夫森结 | 第81-88页 |
| 6.3.1 实验条件 | 第81-82页 |
| 6.3.2 结果与讨论 | 第82-88页 |
| 6.4 小结 | 第88-90页 |
| 第七章 总结与展望 | 第90-94页 |
| 7.1 总结 | 第90-92页 |
| 7.2 展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-104页 |
| 在学期间的研究成果 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
