磁控溅射法制备涂层导体缓冲层薄膜
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| ·超导材料简介 | 第11-12页 |
| ·高温超导薄膜的发展历程 | 第12-15页 |
| ·高温超导材料的应用 | 第15-17页 |
| ·涂层导体缓冲层材料 | 第17-20页 |
| ·二氧化物(MO_2) | 第17-18页 |
| ·三氧化物(M_2O_3) | 第18-19页 |
| ·复合氧化物 | 第19-20页 |
| ·涂层导体的制备方法 | 第20-27页 |
| ·金属基带的制备 | 第20-22页 |
| ·缓冲层材料的制备 | 第22-23页 |
| ·超导层材料的制备 | 第23-27页 |
| ·论文的选题依据和研究目标 | 第27-28页 |
| ·选题依据 | 第27页 |
| ·研究目标 | 第27-28页 |
| 第2章 磁控溅射镀膜基本原理 | 第28-36页 |
| ·溅射机理 | 第28-29页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-36页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第30-32页 |
| ·磁控溅射类型 | 第32-35页 |
| ·磁控溅射法的优势 | 第35页 |
| ·磁控溅射的应用 | 第35-36页 |
| 第3章 实验及测试 | 第36-43页 |
| ·YBiO_3靶材的制备 | 第36-38页 |
| ·粉体合成 | 第36-38页 |
| ·靶材压制 | 第38页 |
| ·YBiO_3及CeO_2薄膜样品的制备 | 第38-40页 |
| ·磁控溅射沉积系统 | 第38-39页 |
| ·基底预处理方法 | 第39页 |
| ·磁控溅射镀膜实验步骤 | 第39-40页 |
| ·样品分析测试 | 第40-43页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第40-41页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第41-42页 |
| ·差热(TG/DTA)分析 | 第42-43页 |
| 第4章 YBiO_3靶材的表征及薄膜制备 | 第43-53页 |
| ·YBiO_3粉体的差热分析 | 第43-46页 |
| ·YBiO_3靶材的显微结构分析 | 第46-48页 |
| ·靶材的致密度分析 | 第48-49页 |
| ·YBiO_3薄膜表征 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第5章 CeO_2薄膜在Ni合金基带上的制备 | 第53-74页 |
| ·薄膜生长机理 | 第54-57页 |
| ·薄膜外延生长机理 | 第54-56页 |
| ·CeO_2薄膜生长模型 | 第56-57页 |
| ·CeO_2薄膜在Si单晶片上制备的工艺探索 | 第57-62页 |
| ·保护层Ce膜的制备 | 第58-59页 |
| ·Si单晶片上反应溅射CeO_2薄膜 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62页 |
| ·溅射气氛对CeO_2薄膜生长的影响 | 第62-66页 |
| ·实验条件 | 第62-63页 |
| ·溅射气氛对CeO_2薄膜结构的影响 | 第63-64页 |
| ·溅射气氛对CeO_2薄膜形貌的影响 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| ·基片温度对CeO_2薄膜生长的影响 | 第66-69页 |
| ·实验条件 | 第66页 |
| ·基片温度对CeO_2薄膜结构的影响 | 第66-68页 |
| ·基片温度对CeO_2薄膜形貌的影响 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·溅射功率对CeO_2薄膜生长的影响 | 第69-74页 |
| ·实验条件 | 第69-70页 |
| ·溅射功率对CeO_2薄膜结构的影响 | 第70-71页 |
| ·溅射功率对CeO_2薄膜形貌的影响 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第82页 |
