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六硼化镧场发射阵列阴极制备的关键工艺研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-16页
   ·场致发射技术的发展历史及现状第9-11页
   ·场致发射的应用第11-14页
     ·场发射平板显示器件第11-12页
     ·场发射行波管第12-13页
     ·场发射传感器第13-14页
   ·本课题研究内容与主要工作第14-16页
第二章 场致发射理论基础第16-22页
   ·场致发射原理第16-19页
     ·表面势垒与电子发射第16-17页
     ·金属场致发射第17-18页
     ·半导体场致发射第18-19页
   ·微尖发射体参数与场发射的关系第19-21页
   ·本章小结第21-22页
第三章 六硼化镧材料特性与场发射阵列阴极制备工艺第22-53页
   ·六硼化镧的材料特性第22-23页
   ·六硼化镧材料在场发射中的应用第23-24页
   ·场发射阵列阴极制备工艺第24-26页
   ·六硼化镧场发射阵列牺牲层的制备第26-35页
     ·采用铝作为牺牲层制备材料第26-30页
     ·采用氯化钠作为牺牲层制备材料第30-31页
     ·采用氧化锌作为牺牲层制备材料第31-33页
     ·ZnO-Al 复合牺牲层第33-34页
     ·牺牲层厚度的确定第34-35页
   ·六硼化镧尖锥的沉积第35-39页
   ·栅极开裂问题及退火工艺第39-41页
   ·尖锥脱落的解决方法第41-43页
   ·针对栅阴短路的研究第43-45页
   ·六硼化镧场发射阵列高阻层制备第45-52页
     ·场发射阵列工作稳定性分析第45-46页
     ·高阻层的制备第46-52页
   ·本章小结第52-53页
第四章 六硼化镧场发射阵列的测试第53-58页
   ·静态真空系统测试第53-56页
   ·动态真空系统测试第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 结论与展望第58-60页
   ·本文主要工作总结第58页
   ·工作展望第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-64页
个人简历第64页
硕士研究生期间发表的论文第64-65页

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