六硼化镧场发射阵列阴极制备的关键工艺研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-16页 |
·场致发射技术的发展历史及现状 | 第9-11页 |
·场致发射的应用 | 第11-14页 |
·场发射平板显示器件 | 第11-12页 |
·场发射行波管 | 第12-13页 |
·场发射传感器 | 第13-14页 |
·本课题研究内容与主要工作 | 第14-16页 |
第二章 场致发射理论基础 | 第16-22页 |
·场致发射原理 | 第16-19页 |
·表面势垒与电子发射 | 第16-17页 |
·金属场致发射 | 第17-18页 |
·半导体场致发射 | 第18-19页 |
·微尖发射体参数与场发射的关系 | 第19-21页 |
·本章小结 | 第21-22页 |
第三章 六硼化镧材料特性与场发射阵列阴极制备工艺 | 第22-53页 |
·六硼化镧的材料特性 | 第22-23页 |
·六硼化镧材料在场发射中的应用 | 第23-24页 |
·场发射阵列阴极制备工艺 | 第24-26页 |
·六硼化镧场发射阵列牺牲层的制备 | 第26-35页 |
·采用铝作为牺牲层制备材料 | 第26-30页 |
·采用氯化钠作为牺牲层制备材料 | 第30-31页 |
·采用氧化锌作为牺牲层制备材料 | 第31-33页 |
·ZnO-Al 复合牺牲层 | 第33-34页 |
·牺牲层厚度的确定 | 第34-35页 |
·六硼化镧尖锥的沉积 | 第35-39页 |
·栅极开裂问题及退火工艺 | 第39-41页 |
·尖锥脱落的解决方法 | 第41-43页 |
·针对栅阴短路的研究 | 第43-45页 |
·六硼化镧场发射阵列高阻层制备 | 第45-52页 |
·场发射阵列工作稳定性分析 | 第45-46页 |
·高阻层的制备 | 第46-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第四章 六硼化镧场发射阵列的测试 | 第53-58页 |
·静态真空系统测试 | 第53-56页 |
·动态真空系统测试 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
·本文主要工作总结 | 第58页 |
·工作展望 | 第58-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
个人简历 | 第64页 |
硕士研究生期间发表的论文 | 第64-65页 |