| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-29页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·纳米材料的结构、性质及表征 | 第9-17页 |
| ·纳米材料的结构 | 第9-11页 |
| ·纳米材料的奇异性质 | 第11-14页 |
| ·纳米材料的表征 | 第14-17页 |
| ·碲化合物半导体材料的结构 | 第17-19页 |
| ·硫族化合物半导体材料的制备方法 | 第19-27页 |
| ·本文的研究思路及研究内容 | 第27-29页 |
| 2 PbTe、Ag_2Te 纳米半导体的合成及性质研究 | 第29-55页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·基于复合碱低温共熔点合成方案的设计 | 第31页 |
| ·CHM 法对PbTe 晶体的合成及性质研究 | 第31-45页 |
| ·实验部分 | 第31-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-41页 |
| ·PbTe 晶体的热电性质 | 第41-45页 |
| ·Ag_2Te 纳米线的CHM 法合成及性能研究 | 第45-53页 |
| ·实验部分（Ag_2Te 纳米线的合成） | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-48页 |
| ·碲化银纳米晶体相变性质研究 | 第48-53页 |
| ·结论 | 第53-55页 |
| 3 硫族铅化物（PbS、PbSe、PbTe）纳米材料的室温合成及热电性质研究 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55-58页 |
| ·基于饱和联氨碱溶液体系合成方案的设计 | 第58页 |
| ·实验部分 | 第58-59页 |
| ·PbE（E=S, Se，Te）纳米立方体的合成 | 第58页 |
| ·样品表征 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·样品的表征 | 第59-61页 |
| ·纳米立方体的形成机制 | 第61-64页 |
| ·硫族铅化合物的热电特性分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 4 ZnTe 纳米棒的 N_2H_4 溶剂热合成 | 第69-81页 |
| ·引言 | 第69-72页 |
| ·基于ZnTe 的联氨溶液体系合成方案的设计 | 第72-73页 |
| ·实验部分 | 第73-74页 |
| ·ZnTe 纳米棒的合成 | 第73页 |
| ·产物的表征 | 第73-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·ZnTe 纳米棒的表征 | 第74-77页 |
| ·ZnTe 纳米棒的形成机制 | 第77-78页 |
| ·ZnTe 纳米棒的光学性质 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 5 碲酸铅纳米带的熔融盐合成 | 第81-95页 |
| ·引言 | 第81-83页 |
| ·基于熔融盐低温合成方案的设计 | 第83页 |
| ·实验部分 | 第83-84页 |
| ·碲酸铅玻璃的合成过程 | 第83-84页 |
| ·产物的表征 | 第84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-93页 |
| ·产物的形貌 | 第84-85页 |
| ·碲酸铅纳米带的形成机制 | 第85-87页 |
| ·碲酸铅纳米带的X 光电子能谱 | 第87-89页 |
| ·与温度相关的状态变化 | 第89-91页 |
| ·碲酸铅纳米带的光学特性 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 6 结论与展望 | 第95-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-119页 |
| 附录 | 第119-120页 |