| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| ·纳米材料 | 第13-14页 |
| ·半导体量子点光电子性质 | 第14-24页 |
| ·尺寸相关的态密度 | 第14-15页 |
| ·量子限域效应和带隙 | 第15-19页 |
| ·量子点发光性质 | 第19-24页 |
| ·半导体量子点合成 | 第24-27页 |
| ·自上而下的合成方法 | 第24页 |
| ·自下而上的合成方法 | 第24-27页 |
| ·基于量子点的光电器件及其发展现状 | 第27-32页 |
| ·有机-无机杂化量子点发光二极管 | 第27-31页 |
| ·全无机量子点发光二极管 | 第31-32页 |
| ·本论文主要内容和论文结构安排 | 第32-35页 |
| ·本论文的主要内容 | 第32-34页 |
| ·论文的结构安排 | 第34-35页 |
| 第二章 量子点壳层相关的变温发光性质 | 第35-47页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·CdSe 核/壳量子点的合成 | 第36-37页 |
| ·变温样品的制备及光学性质表征 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-46页 |
| ·激子-声子相互作用与量子点壳层的关系 | 第37-40页 |
| ·量子点热淬灭与壳层的关系 | 第40-42页 |
| ·对于多壳层结构量子点变温发光强度变化的分析 | 第42-44页 |
| ·量子点表面性质对变温发光强度的影响及模型 | 第44-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第三章 有机电子传输材料到核 | 第47-63页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验部分 | 第48-50页 |
| ·CdSe 核/壳量子点的合成 | 第48-49页 |
| ·QD/TPBI 混合薄膜的制备与光学性质表征 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-61页 |
| ·TPBI 分子到量子点能量传递过程与混合比例的关系 | 第50-53页 |
| ·能量传递动力学过程的唯象理论分析 | 第53-58页 |
| ·壳层结构相关的能量传递过程 | 第58-61页 |
| ·结论 | 第61-63页 |
| 第四章 有机空穴传输材料与核/壳量子点之间的能量传递与电荷分离研究 | 第63-75页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-65页 |
| ·CdSe 核/壳量子点的合成 | 第64页 |
| ·QD/HTM 混合薄膜的制备与光学性质表征 | 第64-65页 |
| ·实验结果与讨论 | 第65-74页 |
| ·TCTA 分子与量子点的光谱表征与能级结构分析 | 第65-67页 |
| ·空穴传输材料到CdSe 量子点能量传递过程的激发光谱表征 | 第67-68页 |
| ·能量传递/电荷分离过程的动力学分析 | 第68-72页 |
| ·量子点壳层结构对于能量传递/电荷分离过程的影响 | 第72-74页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| 第五章 壳层结构相关的量子点发光二极管的电致发光性质 | 第75-85页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·实验部分 | 第76-77页 |
| ·CdSe 核/壳量子点的合成 | 第76页 |
| ·QD-LEDs 的制备与表征 | 第76-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-83页 |
| ·器件结构及量子点层形貌 | 第77-78页 |
| ·壳层相关的电致发光研究 | 第78-80页 |
| ·量子点壳层对于器件性能的影响 | 第80-82页 |
| ·双空穴传输层对于器件性能的影响 | 第82-83页 |
| ·结论 | 第83-85页 |
| 第六章 结论与展望 | 第85-89页 |
| ·结论 | 第85-86页 |
| ·展望 | 第86-89页 |
| 参考文献 | 第89-101页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第101-103页 |
| 指导教师及作者简介 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
