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超宽带单片五位数字衰减器的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第1章 绪论第9-19页
   ·MMIC 国内外发展动态第9-11页
   ·MMIC 的应用第11-12页
   ·MMIC 数字衰减器的研究意义第12-13页
   ·MMIC 数字衰减器的发展概况第13-16页
   ·课题的主要研究内容第16-17页
   ·课题主要技术指标第17页
   ·课题主要技术难点第17页
   ·文章内容安排第17-18页
   ·本章小结第18-19页
第2章 pHEMT MMIC 器件模型及工艺(Foundry)流程第19-33页
   ·pHEMT 简介第19-22页
   ·pHEMT 器件参数第22-23页
   ·pHEMT 小信号等效电路模型第23-25页
   ·无源器件模型第25-27页
   ·MMIC 工艺技术第27-29页
   ·芯片加工流程第29-31页
   ·本章小结第31-33页
第3章 数字衰减器的基本理论第33-42页
   ·衰减器的主要技术指标第33-34页
   ·衰减器的基本拓扑结构第34-41页
     ·T 型衰减器第35-36页
     ·桥T 型衰减器第36-38页
     ·π型衰减器第38-40页
     ·开关式衰减器第40-41页
   ·本章小结第41-42页
第4章 五位数字衰减器MMIC 设计第42-53页
   ·1dB 位第42-44页
   ·2dB 位第44-46页
   ·4dB 位第46-47页
   ·8dB 位第47-48页
   ·电磁仿真优化第48-49页
   ·总体结构及仿真第49-52页
   ·本章小结第52-53页
第5章 五位数字衰减器的测试结果及分析第53-61页
   ·实现工艺及实物版图第53-54页
   ·测试结果及分析第54-60页
   ·本章小结第60-61页
第6章 结论与展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-66页
附录第66页

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