| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 拓扑半金属简介 | 第13-21页 |
| 1.1.1 拓扑半金属的分类 | 第14-18页 |
| 1.1.2 拓扑半金属的特性 | 第18-21页 |
| 1.2 Dirac半金属Cd_3As_2的研究现状 | 第21-27页 |
| 1.2.1 Cd_3As_2的晶体结构 | 第22-23页 |
| 1.2.2 Cd_3As_2的电子能带结构 | 第23-24页 |
| 1.2.3 Cd_3As_2的输运性质 | 第24-27页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 Cd_3As_2纳米片的生长表征和器件制备 | 第29-37页 |
| 2.1 化学气相沉积生长Cd_3As_2纳米片 | 第29-32页 |
| 2.2 Cd_3As_2纳米片的表征 | 第32-33页 |
| 2.3 Cd_3As_2纳米片器件的制备 | 第33-37页 |
| 2.3.1 Cd_3As_2纳米片的转移和厚度测量 | 第33-35页 |
| 2.3.2 Cd_3As_2纳米片器件的制备 | 第35-37页 |
| 第三章 Cd_3As_2纳米片中的平面霍尔效应 | 第37-53页 |
| 3.1 电阻各向异性 | 第37-38页 |
| 3.2 线性纵向磁电阻和载流子浓度 | 第38-39页 |
| 3.3 负的纵向磁电阻和面内各向异性纵向磁电阻 | 第39-41页 |
| 3.3.1 负的纵向磁电阻 | 第39-41页 |
| 3.3.2 各向异性的平面纵向磁阻p_(xx) | 第41页 |
| 3.4 平面横向磁电阻 | 第41-43页 |
| 3.5 平面霍尔效应 | 第43-52页 |
| 3.5.1 PHE和NLMR的幅值随温度的变化 | 第43-44页 |
| 3.5.2 PHE的幅值随外加磁场的变化 | 第44-46页 |
| 3.5.3 夹角δγ和平面LMR分量Δρ_(xx)~(||)对PHE的影响 | 第46-48页 |
| 3.5.4 Current jetting效应的排除 | 第48-51页 |
| 3.5.5 手性电荷驰豫时间:τ_c | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Cd3As2纳米片中的表面态Fermi-arc振荡 | 第53-63页 |
| 4.1 Weyl磁轨道和Fermi-arc振荡 | 第53-55页 |
| 4.2 局域法测量表面态Fermi-arc贡献的量子振荡 | 第55-59页 |
| 4.2.1 表面态Fermi-arc的量子振荡 | 第55-56页 |
| 4.2.2 表面态Fermi-arc振荡对角度的依赖 | 第56-57页 |
| 4.2.3 表面态Fermi-arc振荡的理论分析 | 第57-59页 |
| 4.3 非局域法测量表面态Fermi-arc贡献的量子振荡 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 热调控Cd_3As_2纳米片的载流子密度 | 第63-75页 |
| 5.1 Cd_3As_2纳米片样品的保护 | 第63-64页 |
| 5.2 Fermi-arc振荡和负的纵向磁电阻 | 第64-65页 |
| 5.3 热处理调控载流子密度 | 第65-69页 |
| 5.3.1 Cd_3As_2纳米片样品的载流子浓度和迁移率 | 第65-67页 |
| 5.3.2 载流子浓度的增加 | 第67-68页 |
| 5.3.3 载流子浓度和迁移率的反常演变 | 第68-69页 |
| 5.4 表面态Fermi-arc的演变 | 第69-71页 |
| 5.5 反常相位移动和负的纵向磁电阻 | 第71-74页 |
| 5.5.1 体态量子振荡的反常相位移动 | 第71-72页 |
| 5.5.2 负的纵向磁电阻 | 第72-74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 高温下负的纵向磁电阻与弱反局域化效应的竞争 | 第75-86页 |
| 6.1 纵向磁电阻对角度的依赖关系和弱反局域化效应 | 第75-77页 |
| 6.2 负的纵向磁电阻与弱反局域化效应的竞争 | 第77-82页 |
| 6.2.1 负的纵向磁电阻与弱反局域化效应随温度的变化 | 第77-80页 |
| 6.2.2 载流子的浓度和迁移率 | 第80-82页 |
| 6.2.3 高温竞争的机制 | 第82页 |
| 6.3 临界磁场Bc和线性磁电阻 | 第82-85页 |
| 6.3.1 临界磁场Bc与载流子浓度的关系 | 第82-84页 |
| 6.3.2 量子极限下的线性纵向磁电阻 | 第84-85页 |
| 6.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第七章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第101页 |
