| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1. 功率半导体器件的介绍 | 第11-13页 |
| 1.2. 变K半导体功率器件发展 | 第13-19页 |
| 1.2.1. 高K介质栅极结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2. 变K技术作用于耐压层 | 第15-18页 |
| 1.2.3. 高K介质栅极工艺 | 第18-19页 |
| 1.3. 论文的主要工作和内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 变介电常数介质的研究与应用 | 第20-34页 |
| 2.1. 传统的电场优化技术 | 第20-25页 |
| 2.1.1. RESURF | 第20-22页 |
| 2.1.2. 场板技术 | 第22-24页 |
| 2.1.3. 其他电场优化技术 | 第24-25页 |
| 2.2. 变介电常数介质 | 第25-26页 |
| 2.3. 变K技术及其机理 | 第26-31页 |
| 2.3.1. 高K技术电容机理 | 第27-29页 |
| 2.3.2. 高K介质极化电荷自平衡 | 第29-31页 |
| 2.4. 变KDT LDMOS耐压模型 | 第31-33页 |
| 2.5. 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 带有变K介质的VK DT-P LDMOS器件的研究 | 第34-45页 |
| 3.1. VK DT-P LDMOS结构及机理 | 第34-36页 |
| 3.1.1. VK DT-P LDMOS结构设计 | 第34-35页 |
| 3.1.2. VK DT-P LDMOS结构耐压机理 | 第35-36页 |
| 3.2. VK DT-P LDMOS结构参数优化 | 第36-41页 |
| 3.3. VK DT-P LDMOS结构的工艺实施方案的设计 | 第41-43页 |
| 3.4. VK DT-P LDMOS结构版图的设计 | 第43-44页 |
| 3.5. 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 VFP HK LDMOS新结构的设计 | 第45-57页 |
| 4.1. VFP HK LDMOS结构研究 | 第45-48页 |
| 4.1.1. VFP HK LDMOS结构讨论 | 第45-46页 |
| 4.1.2. VFP HK LDMOS关态机理 | 第46-47页 |
| 4.1.3. VFP HK LDMOS开态机理 | 第47-48页 |
| 4.2. VFP HK LDMOS的电场优化特性 | 第48-49页 |
| 4.3. VFP HK LDMOS耐压与比导的提升 | 第49-54页 |
| 4.4. VFP HK LDMOS工艺实施方案的探讨 | 第54-55页 |
| 4.5. VFP HK LDMOS版图的讨论 | 第55-56页 |
| 4.6. 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第67-68页 |
| 附录B (攻读学位期间申请的专利) | 第68页 |
