| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体气敏传感器 | 第12-14页 |
| 1.3 金属硫化物半导体 | 第14-15页 |
| 1.4 二硫化钨半导体材料 | 第15-16页 |
| 1.5 二硫化钨气敏传感器的研究现状 | 第16页 |
| 1.6 二硫化钨气敏传感器的性能改进 | 第16-24页 |
| 1.7 原位技术 | 第24-25页 |
| 1.8 选题意义及研究内容 | 第25-28页 |
| 2 实验材料、装置与方法 | 第28-35页 |
| 2.1 试剂与仪器 | 第28-29页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第29-31页 |
| 2.3 气敏性能表征 | 第31-35页 |
| 3 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的制备与室温NH_3气敏性能研究 | 第35-57页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的制备 | 第36-39页 |
| 3.3 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的表征 | 第39-49页 |
| 3.4 Pt量子点负载WS_2纳米片的复合材料室温气敏性能研究 | 第49-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 4 室温NH_3气氛下Pt量子点负载二维WS_2纳米片复合材料的原位拉曼研究 | 第57-67页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 原位拉曼测试的腔体设计以及操作流程 | 第57-59页 |
| 4.3 NH_3气氛下的原位拉曼测试 | 第59-62页 |
| 4.4 不同摩尔比下复合材料的TEM表征 | 第62-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 5 全文总结与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 5.2 本文的创新之处 | 第68-69页 |
| 5.3 工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-83页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写与发表的论文 | 第83页 |
