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Pt量子点负载WS2纳米片复合材料的制备以及室温NH3气敏性能、原位拉曼的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第11-28页
    1.1 前言第11-12页
    1.2 半导体气敏传感器第12-14页
    1.3 金属硫化物半导体第14-15页
    1.4 二硫化钨半导体材料第15-16页
    1.5 二硫化钨气敏传感器的研究现状第16页
    1.6 二硫化钨气敏传感器的性能改进第16-24页
    1.7 原位技术第24-25页
    1.8 选题意义及研究内容第25-28页
2 实验材料、装置与方法第28-35页
    2.1 试剂与仪器第28-29页
    2.2 材料表征方法第29-31页
    2.3 气敏性能表征第31-35页
3 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的制备与室温NH_3气敏性能研究第35-57页
    3.1 引言第35-36页
    3.2 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的制备第36-39页
    3.3 Pt量子点负载WS_2纳米片复合材料的表征第39-49页
    3.4 Pt量子点负载WS_2纳米片的复合材料室温气敏性能研究第49-56页
    3.5 本章小结第56-57页
4 室温NH_3气氛下Pt量子点负载二维WS_2纳米片复合材料的原位拉曼研究第57-67页
    4.1 引言第57页
    4.2 原位拉曼测试的腔体设计以及操作流程第57-59页
    4.3 NH_3气氛下的原位拉曼测试第59-62页
    4.4 不同摩尔比下复合材料的TEM表征第62-66页
    4.5 本章小结第66-67页
5 全文总结与展望第67-70页
    5.1 全文总结第67-68页
    5.2 本文的创新之处第68-69页
    5.3 工作展望第69-70页
致谢第70-72页
参考文献第72-83页
附录1 攻读硕士学位期间撰写与发表的论文第83页

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