| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第12-14页 |
| 1.2 研究目的与内容 | 第14页 |
| 1.3 本论文结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-48页 |
| 2.1 引言 | 第16-19页 |
| 2.1.1 硅基光电应用 | 第16-18页 |
| 2.1.2 超短脉冲激光器的发展历史 | 第18-19页 |
| 2.2 飞秒激光与硅的相互作用 | 第19-35页 |
| 2.2.1 飞秒激光与硅相互作用的物理机制 | 第19-25页 |
| 2.2.2 飞秒激光加工与纳秒激光加工的对比 | 第25-26页 |
| 2.2.3 飞秒激光非平衡掺杂 | 第26-31页 |
| 2.2.4 飞秒激光刻蚀 | 第31-35页 |
| 2.3 非平衡掺杂硅材料的研究进展 | 第35-46页 |
| 2.3.1 中间带的表征 | 第35-36页 |
| 2.3.2 载流子寿命、迁移率以及光吸收系数的测试 | 第36-38页 |
| 2.3.3 次带隙吸收的退火失活效应 | 第38-39页 |
| 2.3.4 次带隙光电响应 | 第39-42页 |
| 2.3.5 飞秒激光掺杂的工艺控制 | 第42-45页 |
| 2.3.6 如何寻找合适的非平衡掺杂剂 | 第45-46页 |
| 2.4 存在的主要问题 | 第46-48页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第48-58页 |
| 3.1 银非平衡掺杂硅的制备过程 | 第48-49页 |
| 3.1.1 硅片的清洗 | 第48页 |
| 3.1.2 前驱层的制备 | 第48-49页 |
| 3.1.3 飞秒激光掺杂 | 第49页 |
| 3.2 Si:Ag光电探测器的制备过程 | 第49-50页 |
| 3.3 表征测试方法 | 第50-58页 |
| 3.3.1 深能级瞬态谱 | 第51-53页 |
| 3.3.2 二次离子质谱 | 第53-54页 |
| 3.3.3 霍尔效应测试仪 | 第54页 |
| 3.3.4 少子寿命测试仪 | 第54页 |
| 3.3.5 拉曼光谱 | 第54-55页 |
| 3.3.6 光电探测器的性能指标及测试 | 第55-58页 |
| 第四章 银非平衡掺杂硅的光吸收性质及缺陷态研究 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验 | 第59-61页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第61-73页 |
| 4.3.1 Si:Ag样品的结构及表面形貌 | 第61-64页 |
| 4.3.2 Si:Ag样品的光学性质 | 第64-66页 |
| 4.3.3 次带隙吸收随退火条件的变化 | 第66-69页 |
| 4.3.4 Si:Ag样品中的缺陷能级 | 第69-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-76页 |
| 第五章 缺陷态辅助响应增益的Si:Ag光电探测器 | 第76-100页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 实验 | 第77-79页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第79-98页 |
| 5.3.1 Si:Ag样品的结构及光吸收性质 | 第79-83页 |
| 5.3.2 Si:Ag光电探测器中的光电导增益 | 第83-85页 |
| 5.3.3 Si:Ag中的杂质缺陷 | 第85-89页 |
| 5.3.4 Si:Ag光电探测器的工作原理 | 第89-91页 |
| 5.3.5 Si:Ag光电探测器的性能 | 第91-95页 |
| 5.3.6 氧化铝钝化对Si:Ag光电探测器性能的影响 | 第95-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-100页 |
| 第六章 具有短波截止特性的近红外Si:Ag光电探测器 | 第100-122页 |
| 6.1 引言 | 第100-102页 |
| 6.2 实验 | 第102-103页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第103-120页 |
| 6.3.1 Si:Ag样品的次带隙吸收特性 | 第103-107页 |
| 6.3.2 Si:Ag探测器的光电响应特性 | 第107-110页 |
| 6.3.3 Si:Ag样品的表面缺陷及体缺陷 | 第110-114页 |
| 6.3.4 Si:Ag光电探测器短波截止的机理 | 第114-118页 |
| 6.3.5 Si:Ag光电探测器近红外光电响应的机理 | 第118-119页 |
| 6.3.6 Si:Ag光电探测器的性能 | 第119-120页 |
| 6.4 本章小结 | 第120-122页 |
| 第七章 Si:Ag/Gr光电导型探测器的性能研究 | 第122-134页 |
| 7.1 引言 | 第122-123页 |
| 7.2 实验 | 第123-124页 |
| 7.3 实验结果与讨论 | 第124-131页 |
| 7.3.1 Si:Ag/Gr光电导探测器的光电响应性能 | 第124-129页 |
| 7.3.2 Pt NPs对器件光电响应的影响 | 第129-131页 |
| 7.4 本章小结 | 第131-134页 |
| 第八章 总结 | 第134-136页 |
| 8.1 结论 | 第134-135页 |
| 8.2 展望 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-154页 |
| 致谢 | 第154-156页 |
| 个人简介 | 第156-158页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其它研究成果 | 第158页 |
