| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 绪论 | 第12-14页 |
| 第一章 文献综述 | 第14-28页 |
| 1.1 多铁性概述 | 第14-19页 |
| 1.1.1 铁电性及铁电体 | 第14-15页 |
| 1.1.2 铁磁性及铁磁体 | 第15-17页 |
| 1.1.3 磁电耦合效应 | 第17-19页 |
| 1.2 复合磁电薄膜 | 第19-23页 |
| 1.2.1 0-3型薄膜 | 第19-20页 |
| 1.2.2 2-2型薄膜 | 第20-21页 |
| 1.2.3 1-3型薄膜 | 第21-23页 |
| 1.3 溅射镀膜简介 | 第23-25页 |
| 1.3.1 溅射机理 | 第23-24页 |
| 1.3.2 射频磁控溅射 | 第24-25页 |
| 1.4 薄膜取向机理简介 | 第25-26页 |
| 1.5 本课题研究目的、内容和意义 | 第26-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-34页 |
| 2.1 实验原料和仪器 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第28页 |
| 2.1.2 实验所需仪器 | 第28-29页 |
| 2.2 仪器原理及测试方法 | 第29-34页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第29-30页 |
| 2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第30-31页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第31页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31-32页 |
| 2.2.5 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) | 第32页 |
| 2.2.6 超导量子干涉仪(SQUID) | 第32-33页 |
| 2.2.7 精密阻抗分析仪(PIA) | 第33-34页 |
| 第三章 薄膜的制备过程 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 BTO和NZFO粉体的制备 | 第34-36页 |
| 3.2.1 BTO粉体的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 NZFO粉体的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 BTO-NZFO靶材的制备 | 第36-38页 |
| 3.4 单晶Si(111)基板的处理 | 第38-39页 |
| 3.5 薄膜的制备工艺 | 第39-42页 |
| 第四章 BTO-NZFO复相薄膜的制备与性能研究 | 第42-54页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 BTO-NZFO复相薄膜的形成分析 | 第42-47页 |
| 4.2.1 BTO-NZFO复相薄膜中BTO相和NZFO相的形成 | 第42-46页 |
| 4.2.2 BTO-NZFO复相薄膜的形貌分析 | 第46-47页 |
| 4.3 晶相含量对BTO-NZFO复相薄膜的磁性能增强研究 | 第47-49页 |
| 4.4 BTO-NZFO复相薄膜介电性能分析 | 第49-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 Cu掺杂BTO-NZFO薄膜的形成与性能研究 | 第54-76页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 Cu掺杂BTO-NZFO薄膜的形成分析 | 第54-60页 |
| 5.2.1 Cu掺杂BTO-NZFO薄膜中BTO相和NZFO相的形成 | 第54-57页 |
| 5.2.2 Cu掺杂BTO-NZFO薄膜的形貌分析 | 第57-60页 |
| 5.3 NZFO相晶格应变的Jahn-Teller效应研究 | 第60-66页 |
| 5.4 NZFO相取向形成的基板诱导和表面能联合控制影响 | 第66-68页 |
| 5.5 NZFO相取向度的制备工艺影响 | 第68-70页 |
| 5.6 Cu~(2+)取代Ni~(2+)对薄膜磁性能的抑制研究 | 第70-73页 |
| 5.7 Cu掺杂BTO-NZFO薄膜的介电性能分析 | 第73-74页 |
| 5.8 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 全文研究总结与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 全文总结 | 第76-77页 |
| 6.2 问题和展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 个人简历 | 第86-88页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他科研成果 | 第88页 |
