| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-19页 |
| 1.2 光纤激光器原理 | 第19-20页 |
| 1.3 脉冲产生原理及技术 | 第20-26页 |
| 1.3.1 调Q原理及技术 | 第21页 |
| 1.3.2 主动调Q技术 | 第21-22页 |
| 1.3.3 被动调Q技术 | 第22页 |
| 1.3.4 锁模原理及技术 | 第22-26页 |
| 1.4 基于二维纳米材料的脉冲光纤激光器 | 第26-30页 |
| 1.4.1 基于石墨烯的光纤激光器 | 第26-27页 |
| 1.4.2 基于拓扑绝缘体的光纤激光器 | 第27-29页 |
| 1.4.3 基于其它新型二维纳米材料的光纤激光器 | 第29-30页 |
| 1.5 本文主要研究内容与基本框架 | 第30-32页 |
| 第2章 基于可饱和吸收体的光纤激光器的基本理论 | 第32-43页 |
| 2.1 光学介质的基本特性 | 第32-36页 |
| 2.1.1 材料的线性光学特性及测量 | 第32-33页 |
| 2.1.2 材料的非线性光学特性及Zscan技术 | 第33-35页 |
| 2.1.3 泵浦探测技术测量材料的恢复时间 | 第35-36页 |
| 2.2 脉冲在光纤激光器中的传输 | 第36-42页 |
| 2.2.1 光纤的特性 | 第36-38页 |
| 2.2.2 非线性薛定谔方程 | 第38-40页 |
| 2.2.3 脉冲在光纤激光器中的传输 | 第40-41页 |
| 2.2.4 数值模拟方法 | 第41-42页 |
| 2.3 小结 | 第42-43页 |
| 第3章 二维纳米材料的制备及特性 | 第43-55页 |
| 3.1 石墨烯的结构、性能及制备方法 | 第43-46页 |
| 3.1.1 石墨烯的能带结构和特性 | 第43-44页 |
| 3.1.2 石墨烯的制备方法 | 第44-46页 |
| 3.2 拓扑绝缘体材料的性能及制备方法 | 第46-51页 |
| 3.2.1 拓扑绝缘体材料 | 第46-49页 |
| 3.2.2 拓扑绝缘体材料的制备 | 第49-51页 |
| 3.3 二维硫化钼纳米材料的特性及其制备方法 | 第51-54页 |
| 3.3.1 二维硫化钼的特性 | 第51-52页 |
| 3.3.2 硫化钼二维纳米材料的制备 | 第52-54页 |
| 3.4 小结 | 第54-55页 |
| 第4章 拓扑绝缘体调Q/锁模光纤激光器 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 实验装置 | 第56-57页 |
| 4.2.1 拓扑绝缘体材料的制备 | 第56页 |
| 4.2.2 光纤激光器实验装置 | 第56-57页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第57-66页 |
| 4.3.1 拓扑绝缘体纳米片的形貌及结构表征 | 第57-59页 |
| 4.3.2 调Q光纤激光器 | 第59-61页 |
| 4.3.3 锁模光纤激光器 | 第61-66页 |
| 4.4 小结 | 第66-67页 |
| 第5章 拓扑绝缘体PMMA夹层耗散孤子光纤激光器 | 第67-81页 |
| 5.1 引言 | 第67-69页 |
| 5.2 实验装置 | 第69-73页 |
| 5.2.1 拓扑绝缘体的制备 | 第69-70页 |
| 5.2.2 材料结构表征仪器 | 第70页 |
| 5.2.3 PMMA-TI-PMMA结构的制备 | 第70-71页 |
| 5.2.4 Zscan实验装置 | 第71页 |
| 5.2.5 光纤激光器实验装置 | 第71-73页 |
| 5.3 实验结果及讨论 | 第73-79页 |
| 5.3.1 拓扑绝缘体纳米片的形貌及结构表征 | 第73-75页 |
| 5.3.2 耗散孤子脉冲激光 | 第75-79页 |
| 5.4 小结 | 第79-81页 |
| 第6章 MoS2可饱和吸收体被动锁模光纤激光器 | 第81-90页 |
| 6.1 引言 | 第81-82页 |
| 6.2 实验装置 | 第82-86页 |
| 6.2.1 MoS_2结构表征 | 第82-83页 |
| 6.2.2 MoS_2可饱和吸收体的制备及其非线性光学特性测量 | 第83-85页 |
| 6.2.3 MoS_2光纤激光器 | 第85-86页 |
| 6.3 实验结果及讨论 | 第86-89页 |
| 6.4 小结 | 第89-90页 |
| 结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-107页 |
| 缩写词索引 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 附录A 攻读博士学位期间已发表的论文 | 第110-111页 |