纳米CMOS器件新结构与阈值电压模型研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 MOSFET的短沟道效应 | 第8-13页 |
| 1.1.1 阈值电压漂移 | 第8-10页 |
| 1.1.2 泄漏电流 | 第10-11页 |
| 1.1.3 载流子输运效率 | 第11-12页 |
| 1.1.4 器件可靠性 | 第12-13页 |
| 1.2 MOSFET的结构工程 | 第13-20页 |
| 1.2.1 沟道工程 | 第13-16页 |
| 1.2.2 源漏工程 | 第16-17页 |
| 1.2.3 栅工程 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 双材料栅Fin FET新结构 | 第22-41页 |
| 2.1 器件结构 | 第22-23页 |
| 2.2 工作机理 | 第23-31页 |
| 2.2.1 fin中的电势分布 | 第23-26页 |
| 2.2.2 fin中的电场分布 | 第26-28页 |
| 2.2.3 fin中的平均电子速率分布 | 第28-29页 |
| 2.2.4 输出特性与转移特性 | 第29-31页 |
| 2.3 栅长的优化设计 | 第31-36页 |
| 2.3.1 L_1/L对阈值电压和DIBL的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.2 L_1/L对亚阈值斜率的影响 | 第32-33页 |
| 2.3.3 L_1/L对开、关态电流的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.4 L_1/L对跨导和输出电导的影响 | 第35-36页 |
| 2.4 功函数的优化设计 | 第36-39页 |
| 2.4.1 δW对阈值电压和DIBL的影响 | 第36-37页 |
| 2.4.2 δW对亚阈值斜率的影响 | 第37-38页 |
| 2.4.3 δW对开、关态电流的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.4 δW对跨导和输出电导的影响 | 第39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 双介质双栅MOSFET的表面电势模型 | 第41-51页 |
| 3.1 DG MOSFET表面电势模型推导 | 第41-44页 |
| 3.2 DI-DG MOSFET表面电势模型推导 | 第44-46页 |
| 3.3 DI-DG MOSFET表面电势模型验证 | 第46-50页 |
| 3.3.1 沟道掺杂浓度对表面电势的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 栅压对沟道表面电势的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.3 OX2材料对表面电势的影响 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 双介质双栅MOSFET的阈值电压模型 | 第51-60页 |
| 4.1 模型推导 | 第51-57页 |
| 4.1.1 通用模型 | 第51-55页 |
| 4.1.2 长沟模型 | 第55-57页 |
| 4.2 模型验证 | 第57-59页 |
| 4.2.1 L1，L2对阈值电压的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.2 OX2材料对阈值电压的影响 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录1攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
