| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 选题的研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 In_2S_3的基本性质及研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 CdIn_2S_4的基本性质及研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 硅纳米薄膜材料在光催化领域的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.5 课题的研究内容和创新点 | 第18-20页 |
| 1.5.1 课题研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5.2 本文的创新点 | 第19-20页 |
| 2 实验部分 | 第20-23页 |
| 2.1 实验试剂及仪器设备 | 第20-21页 |
| 2.2 In_2S_3/TiO_2/Si复合结构薄膜的表征方法 | 第21-22页 |
| 2.3 CdIn_2S_4/TiO_2/Si复合结构薄膜的表征方法 | 第22-23页 |
| 3 In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜的制备及光电化学研究 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 Si纳米棒阵列和In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜的制备 | 第23-26页 |
| 3.2.1 Si纳米棒阵列的制备 | 第23-24页 |
| 3.2.2 In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜的制备 | 第24-26页 |
| 3.3 In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜的结构与形貌表征 | 第26-28页 |
| 3.4 In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜的光吸收特性分析 | 第28-29页 |
| 3.5 循环次数对In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.6 循环次数对In_2S_3/TiO_2/Si复合薄膜光电化学特性的影响 | 第31-34页 |
| 3.7 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 CdIn_2S_4/TiO_2/Si异质结复合结构的制备及光电性质研究 | 第35-47页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 CdIn_2S_4/TiO_2/Si纳米棒阵列复合结构的制备 | 第35-36页 |
| 4.3 Si纳米棒阵列及CdIn_2S_4/TiO_2/Si异质结复合结构的表征 | 第36-37页 |
| 4.4 CdIn_2S_4/TiO_2/Si异质结复合结构的光吸收特性分析 | 第37-39页 |
| 4.5 反应时间对CdIn_2S_4/TiO_2/Si复合结构形貌的影响 | 第39-42页 |
| 4.6 反应时间对CdIn_2S_4/TiO_2/Si异质结构光电化学特性的影响 | 第42-45页 |
| 4.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 5 总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 发表论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
