2H-SiC纳米线的光电性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体发展历程 | 第9页 |
| 1.2 低维纳米材料的研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.3 低维纳米结构分类与特性 | 第11页 |
| 1.4 碳化硅基本性质与结构 | 第11-12页 |
| 1.5 碳化硅研究历史与现状 | 第12-14页 |
| 1.6 研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 理论与方法 | 第15-25页 |
| 2.1 引言 | 第15-16页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第16-17页 |
| 2.2.2 单电子近似 | 第17-18页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第18-19页 |
| 2.3 Kohn-Sham方程 | 第19-23页 |
| 2.3.1 Hobenberg-Kohn定理 | 第19-21页 |
| 2.3.2 交换关联泛函 | 第21-22页 |
| 2.3.3 赝势方法 | 第22-23页 |
| 2.4 CASTEP简介 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 不同种类纳米线不同形貌特性 | 第25-39页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 计算方法与模型构造 | 第26-28页 |
| 3.3 结构分析与讨论 | 第28-31页 |
| 3.4 能带结构与态密度 | 第31-34页 |
| 3.5 吸收系数 | 第34-36页 |
| 3.6 折射率与消光系数 | 第36-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 纳米线与晶体氮元素掺杂特性 | 第39-49页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 计算方法与模型构造 | 第39-40页 |
| 4.3 结构分析与讨论 | 第40-41页 |
| 4.4 能带结构与态密度 | 第41-44页 |
| 4.5 介电函数 | 第44-46页 |
| 4.6 电导率 | 第46-48页 |
| 4.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 作者简介 | 第56页 |
