| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 碳化硅MOSFET器件研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 测试方法调研 | 第13页 |
| 1.3 本文所做工作 | 第13-15页 |
| 第2章 碳化硅MOSFET动态参数及动态过程分析 | 第15-23页 |
| 2.1 碳化硅MOSFET基本结构和工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 动态参数介绍 | 第16-19页 |
| 2.2.1 开通时间t_(on)和关断时间t_(off) | 第16-17页 |
| 2.2.2 极间电容 | 第17-18页 |
| 2.2.3 跨导 | 第18-19页 |
| 2.3 动态过程分析 | 第19-22页 |
| 2.3.1 开通过程 | 第19-20页 |
| 2.3.2 关断过程 | 第20-22页 |
| 2.4 小结 | 第22-23页 |
| 第3章 碳化硅MOSFET器件动态参数测试电路仿真及模型验证 | 第23-28页 |
| 3.1 仿真电路的建立 | 第23-24页 |
| 3.2 碳化硅MOSFET模型及验证 | 第24-27页 |
| 3.2.1 模型静态特性验证 | 第24-26页 |
| 3.2.2 模型动态特性验证 | 第26-27页 |
| 3.3 小结 | 第27-28页 |
| 第4章 碳化硅MOSFET动态参数影响因素的仿真分析 | 第28-44页 |
| 4.1 驱动电阻的影响 | 第28-31页 |
| 4.2 驱动电路杂散电感的影响 | 第31-36页 |
| 4.3 温度对动态参数的影响 | 第36-42页 |
| 4.3.1 器件温度特性的仿真分析 | 第36-39页 |
| 4.3.2 碳化硅材料温度特性分析 | 第39-42页 |
| 4.4 负载对动态参数的影响 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-44页 |
| 第5章 碳化硅MOSFET器件动态参数测试平台搭建及实验研究 | 第44-54页 |
| 5.1 测试平台组成 | 第44-49页 |
| 5.1.1 主电路部分 | 第44-45页 |
| 5.1.2 测试平台驱动部分 | 第45-48页 |
| 5.1.3 被测器件参数 | 第48-49页 |
| 5.2 动态参数的测量与分析 | 第49-53页 |
| 5.2.1 碳化硅MOSFET动态参数测试 | 第49-50页 |
| 5.2.2 阻性负载和阻感负载测试结果对比 | 第50-51页 |
| 5.2.3 实验结果与仿真结果对比分析 | 第51-53页 |
| 5.3 小结 | 第53-54页 |
| 第6章 结论与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研经历 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
