| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第13-24页 |
| 1.1 研究意义 | 第13-16页 |
| 1.1.1 MOSFET按比例缩小 | 第13-14页 |
| 1.1.2 TFET的优势 | 第14-16页 |
| 1.2 二维层状材料的优势和电子学应用 | 第16-23页 |
| 1.2.1 二硫化钼 | 第18-19页 |
| 1.2.2 二维黑磷 | 第19-21页 |
| 1.2.3 二维范德华异质结 | 第21-23页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第23-24页 |
| 第二章 理论基础 | 第24-35页 |
| 2.1 电子结构的计算 | 第24-28页 |
| 2.1.1 多体薛定谔方程和绝热近似 | 第24页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第24-25页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理及Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第26-27页 |
| 2.1.5 计算基组和参数 | 第27-28页 |
| 2.2 器件量子输运性质的计算方法 | 第28-35页 |
| 2.2.1 器件模型 | 第28-29页 |
| 2.2.2 Landauer-Biittiker公式 | 第29页 |
| 2.2.3 电极的平衡密度矩阵 | 第29页 |
| 2.2.4 中心区的非平衡密度矩阵 | 第29-31页 |
| 2.2.5 输运结果 | 第31-33页 |
| 2.2.6 晶体管的模拟 | 第33页 |
| 2.2.7 有限温度下的声子辅助隧穿 | 第33-34页 |
| 2.2.8 计算软件 | 第34-35页 |
| 第三章 二维In-V族隧穿场效应晶体管的性能预测 | 第35-41页 |
| 3.1 研究意义 | 第35页 |
| 3.2 计算方法 | 第35-36页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第36-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 表面缺陷态辅助带间隧穿对磷烯隧穿场效应晶体管输运性能的影响 | 第41-52页 |
| 4.1 研究意义 | 第41页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第41-43页 |
| 4.3 计算结果和讨论 | 第43-51页 |
| 4.3.1 结构和稳定性 | 第43-44页 |
| 4.3.2 电子和自旋性质 | 第44-46页 |
| 4.3.3 掺杂磷烯TFET的弹道输运性能 | 第46-48页 |
| 4.3.4 自旋极化效应对辅助带间隧穿过程的影响 | 第48-51页 |
| 4.4 小结 | 第51-52页 |
| 第五章 单层MoS_2纳米器件的非弹道输运特性 | 第52-56页 |
| 5.1 研究意义 | 第52页 |
| 5.2 计算方法 | 第52-53页 |
| 5.3 计算结果和讨论 | 第53-55页 |
| 5.3.1 MoS_2p-i-n结器件 | 第53-54页 |
| 5.3.2 声子辅助隧穿对单层MoS_2TFET输运特性的影响 | 第54-55页 |
| 5.4 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 二维范德华WSe_2-MoS_2异质结垂直隧穿场效应晶体管的输运性质 | 第56-62页 |
| 6.1 研究意义 | 第56页 |
| 6.2 计算方法 | 第56-57页 |
| 6.3 计算结果和讨论 | 第57-61页 |
| 6.3.1 电子结构性质 | 第57-59页 |
| 6.3.2 输运性质 | 第59-61页 |
| 6.4 小结 | 第61-62页 |
| 第七章 总结和展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第76页 |
