| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展动态 | 第10-16页 |
| 1.2.1 SiGe技术发展概述 | 第10-12页 |
| 1.2.2 SiGe技术发展概述 | 第12-16页 |
| 1.2.3 国内SiGe技术研究现状 | 第16页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 SiGe技术原理 | 第17-24页 |
| 2.1 传统硅双极技术面临困境 | 第17页 |
| 2.2 SiGe HBT工作原理 | 第17-20页 |
| 2.3 应变SiGe基区对HBT性能的影响及优化 | 第20-22页 |
| 2.4 SiGe HBT器件几何尺寸对性能的影响 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 SiGe工艺技术的分类、特点及发展趋势 | 第24-31页 |
| 3.1 SiGe平面双极工艺技术 | 第24-26页 |
| 3.1.1 SiGe平面双极工艺概述 | 第24页 |
| 3.1.2 SiGe平面双极工艺特点 | 第24页 |
| 3.1.3 SiGe平面双极工艺优化和发展趋势 | 第24-26页 |
| 3.2 SiGe BiCMOS工艺 | 第26-28页 |
| 3.2.1 SiGe BiCMOS工艺概述 | 第26-27页 |
| 3.2.2 SiGe BiCMOS工艺特点 | 第27-28页 |
| 3.2.3 SiGe BiCMOS工艺优化和发展趋势 | 第28页 |
| 3.3 SiGe场效应器件及应变硅技术 | 第28-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 兼容 0.35微米SiGe BiCMOS的SiGe HBT器件设计 | 第31-45页 |
| 4.1 SiGe HBT器件设计综合考虑因素 | 第31-35页 |
| 4.1.1 SiGe HBT的发射区设计考虑 | 第31页 |
| 4.1.2 SiGe HBT的基区设计考虑 | 第31-35页 |
| 4.2 兼容 0.35μm SiGe BiCMOS的SiGe HBT器件结构设计 | 第35-39页 |
| 4.2.1 0.35μm SiGe HBT器件整体结构设计 | 第35-36页 |
| 4.2.2 SiGe HBT基区掺杂分布与匹配优化 | 第36-37页 |
| 4.2.3 针对HS SiGe HBT的选择性集电极注入控制与优化 | 第37-39页 |
| 4.3 兼容 0.35μm SiGe BiCMOS的SiGe HBT器件结构设计 | 第39-44页 |
| 4.3.1 HV SiGe HBT（高压）器件参数优化 | 第39-42页 |
| 4.3.2 HS SiGe HBT（高速）器件参数优化 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 0.35微米SiGe BiCMOS工艺流程设计 | 第45-64页 |
| 5.1 SiGe BiCMOS工艺整合考虑因素 | 第45-47页 |
| 5.2 0.35μm SiGe BiCMOS整体工艺架构设计 | 第47-48页 |
| 5.3 0.35μm SiGe BiCMOS完整工艺流程设计 | 第48-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 工艺开发流片与SiGe HBT器件测试分析 | 第64-74页 |
| 6.1 工艺开发版图设计 | 第64-65页 |
| 6.2 SiGe异质结基区材料制备 | 第65-66页 |
| 6.3 关键工艺模块开发 | 第66-70页 |
| 6.3.1 Trench模块 | 第66-67页 |
| 6.3.2 基极模块 | 第67-68页 |
| 6.3.3 发射极模块 | 第68-69页 |
| 6.3.4 ILD模块 | 第69页 |
| 6.3.5 CT模块 | 第69-70页 |
| 6.4 SiGe HBT器件参数测试分析 | 第70-73页 |
| 6.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第74-76页 |
| 7.1 全文工作总结 | 第74-75页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79-80页 |
