| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第12-14页 |
| 1.3 论文主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 应变硅性能提升机理及应变器件小尺寸化 | 第16-26页 |
| 2.1 硅基应变性能提升机理 | 第16-21页 |
| 2.1.1 硅基应变电子迁移率增强机理 | 第16-20页 |
| 2.1.2 硅基应变空穴迁移率增强机理 | 第20-21页 |
| 2.2 小尺寸器件应力提升机理与应变方法 | 第21-25页 |
| 2.2.1 小尺寸器件应力提升机理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 传统应变技术及其小尺寸化挑战 | 第22-24页 |
| 2.2.3 新型小尺寸应变技术 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 应力集中应变MOSFET力学特性研究 | 第26-45页 |
| 3.1 应力集中效应分析 | 第26-33页 |
| 3.1.1 圆孔结构应力集中效应 | 第26-28页 |
| 3.1.2 方孔结构应力集中效应 | 第28-33页 |
| 3.2 小尺寸MOSFET应力集中孔力学特性分析 | 第33-37页 |
| 3.3 矩形孔应力集中MOSFET尺寸优化 | 第37-44页 |
| 3.3.1 孔形状优化 | 第37-38页 |
| 3.3.2 孔高度与宽度优化 | 第38-41页 |
| 3.3.3 顶层硅厚度优化 | 第41-42页 |
| 3.3.4 优化后的沟道应力分布 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 应力集中应变小尺寸器件电学特性研究 | 第45-58页 |
| 4.1 小尺寸应力集中MOSFET电学参数分析 | 第45-51页 |
| 4.1.1 器件迁移率与阈值电压 | 第46-48页 |
| 4.1.1.1 应力作用下器件迁移率变化 | 第46-47页 |
| 4.1.1.2 应力作用下器件阈值电压变化 | 第47-48页 |
| 4.1.2 器件转移特性 | 第48-51页 |
| 4.1.2.1 转移特性曲线 | 第48-50页 |
| 4.1.2.2 亚阈值斜率(Ss) | 第50页 |
| 4.1.2.3 漏致源势垒降低（DIBL）效应 | 第50-51页 |
| 4.2 应力集中器件驱动能力提升 | 第51-53页 |
| 4.2.1 输出特性曲线 | 第51-53页 |
| 4.3 应力集中器件寄生寄生参数影响分析 | 第53-57页 |
| 4.4 本章总结 | 第57-58页 |
| 第五章 应力集中器件关键制备工艺研究 | 第58-69页 |
| 5.1 基于SIMOX技术的应力集中器件制作工艺 | 第58-60页 |
| 5.2 基于国内SOI工艺的应力集中器件工艺 | 第60-63页 |
| 5.2.1 基于SOI的应力集中器件工艺 | 第60-61页 |
| 5.2.2 基于SOI硅片栅自对准的应力集中器件工艺 | 第61-63页 |
| 5.3 基于锗硅虚拟衬底的应力集中器件制作工艺 | 第63-68页 |
| 5.3.1 锗硅刻蚀机理分析 | 第63-64页 |
| 5.3.2 锗硅刻蚀实验探索 | 第64-66页 |
| 5.3.3 基于锗硅虚拟衬底的自对准应力集中器件制作工艺 | 第66-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第77-78页 |