| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 BaTiO_3基 PTC 的现状及展望 | 第7-11页 |
| 1.1.1 BaTiO_3系 PTCR 元件现今的研究成果 | 第8-10页 |
| 1.1.2 PTC 热敏电阻器的发展状况及问题和展望 | 第10-11页 |
| 1.2 本文的研究内容和文章结构 | 第11-13页 |
| 1.2.1 本文的研究内容 | 第11-12页 |
| 1.2.2 文章主题实验部分安排 | 第12-13页 |
| 第二章 BaTiO_3基 PTCR 基本理论 | 第13-33页 |
| 2.1 BaTiO_3基 PTCR 元件的晶体结构 | 第13-15页 |
| 2.1.1 BaTiO_3的晶体结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 BaTiO_3系半导瓷的晶界特性 | 第14-15页 |
| 2.2 BaTiO_3半导瓷的半导化机理 | 第15-17页 |
| 2.2.1 施主掺杂法 | 第16-17页 |
| 2.2.2 强制还原法 | 第17页 |
| 2.3 BaTiO_3半导瓷 PTC 效应的理论模型 | 第17-23页 |
| 2.3.1 Heywang-Jonker 表面势垒模型 | 第18-21页 |
| 2.3.2 钡缺位模型—Daniels 模型 | 第21-22页 |
| 2.3.3 Desu 的界面析出模型 | 第22-23页 |
| 2.4 PTC 热敏电阻器的性能参数 | 第23-25页 |
| 2.5 PTC 热敏电阻器的基本特性及其应用 | 第25-33页 |
| 2.5.1 电阻-温度特性及应用 | 第25-27页 |
| 2.5.2 电流-时间特性及应用 | 第27-29页 |
| 2.5.3 电压-电流特性及应用 | 第29-33页 |
| 第三章 BaTiO_3基 PTCR 的制备与测试 | 第33-39页 |
| 3.1 PTC 材料的制备工艺 | 第33-36页 |
| 3.1.1 原料的选取 | 第33-34页 |
| 3.1.2 施主掺杂 | 第34页 |
| 3.1.3 材料成型与制备 | 第34-35页 |
| 3.1.4 烧结工序 | 第35-36页 |
| 3.1.5 电极制备工序 | 第36页 |
| 3.2 PTCR 的测试系统 | 第36-39页 |
| 3.2.1 PTCR 元件的阻温测试系统 | 第36-37页 |
| 3.2.2 PTCR 耐压测试仪 | 第37-39页 |
| 第四章 施主掺杂对 PTCR 元件半导化的影响 | 第39-47页 |
| 4.1 Nb_2O_5掺杂对 PTCR 元件半导化和居里温度的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 La_2O_3掺杂对 PTCR 原件半导化和居里温度的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 Y_2O_3掺杂对 PTCR 原件半导化和居里温度的影响 | 第44-46页 |
| 4.4 小结 | 第46-47页 |
| 第五章 BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系 PTC 陶瓷 | 第47-53页 |
| 5.1 NBT 粉体的制备 | 第47-48页 |
| 5.2 NBT 添加对 BaTiO_3基 PTCR 原料半导化和居里温度的影响 | 第48-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 总结 | 第53页 |
| 6.2 展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
