| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 ADS研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 国际上实验装置发展现状与趋势 | 第12-15页 |
| 1.2.2 国际上模拟软件的发展现状和趋势 | 第15-19页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第19-20页 |
| 第2章 散裂反应 | 第20-25页 |
| 2.1 散裂反应机制 | 第20-22页 |
| 2.1.1 核内级联过程 | 第20-21页 |
| 2.1.2 余核退激过程 | 第21-22页 |
| 2.2 散裂中子的特点 | 第22-24页 |
| 2.2.1 散裂反应与裂变反应的中子能谱对比 | 第22-23页 |
| 2.2.2 散裂中子角分布 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 粒子输运蒙特卡罗模拟程序 | 第25-31页 |
| 3.1 MCNP程序 | 第25-26页 |
| 3.2 FLUKA程序 | 第26-27页 |
| 3.3 Geant4程序 | 第27-30页 |
| 3.3.1 BERT模型 | 第27-28页 |
| 3.3.2 INCL模型 | 第28-29页 |
| 3.3.3 BIC模型 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 质子诱发散裂反应理论模拟 | 第31-38页 |
| 4.1 质子诱发散裂反应的中子能谱计算 | 第31-36页 |
| 4.1.1 质子诱发薄靶散裂反应的中子能谱计算 | 第31-33页 |
| 4.1.2 质子诱发厚靶散裂反应的中子能谱计算 | 第33-35页 |
| 4.1.3 结构材料的中子双微分截面计算 | 第35-36页 |
| 4.2 本章小结 | 第36-38页 |
| 第5章 ADS次临界靶堆耦合系统中子学模拟 | 第38-68页 |
| 5.1 OECD/NEAADS基准题的Geant4计算 | 第38-41页 |
| 5.1.1 OECD/NEAADS基准题介绍 | 第38-39页 |
| 5.1.2 铅铋靶区泄露中子能谱计算 | 第39-41页 |
| 5.2 ADS次临界靶堆耦合系统建模 | 第41-44页 |
| 5.3 实体散裂靶的中子学模拟 | 第44-49页 |
| 5.3.1 入射质子能量对散裂中子产额的影响 | 第44-46页 |
| 5.3.2 散裂靶尺寸对散裂中子产额的影响 | 第46-49页 |
| 5.4 钨球颗粒散裂靶中子学特性研究 | 第49-57页 |
| 5.4.1 钨球颗粒散裂靶Geant4建模 | 第49-51页 |
| 5.4.2 钨球颗粒散裂靶泄露中子产额研究 | 第51-52页 |
| 5.4.3 钨球颗粒散裂靶泄露中子能谱研究 | 第52-53页 |
| 5.4.4 钨球颗粒散裂靶泄露中子空间分布研究 | 第53-54页 |
| 5.4.5 入射质子能量对钨球颗粒散裂靶泄露中子能谱和空间分布影响 | 第54-57页 |
| 5.5 靶区外围各层布局对靶区中子的影响 | 第57-60页 |
| 5.5.1 燃料层排布对靶区中子的影响 | 第57-58页 |
| 5.5.2 反射层排布对靶区中子的影响 | 第58-59页 |
| 5.5.3 屏蔽层排布对靶区中子的影响 | 第59-60页 |
| 5.6 靶区外围各层中子输运情况研究 | 第60-61页 |
| 5.7 Geant4用于k_(eff)计算的方法 | 第61-66页 |
| 5.7.1 裸球堆k_(eff)计算 | 第63-64页 |
| 5.7.2 简单的ADS装置k_(eff)计算 | 第64-66页 |
| 5.8 本章小结 | 第66-68页 |
| 第6章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 总结 | 第68-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第76页 |