中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-28页 |
1.1 前言 | 第10页 |
1.2 分子电子学发展历程 | 第10-11页 |
1.3 分子器件 | 第11-12页 |
1.4 分子电子传输性质的实验研究 | 第12-13页 |
1.5 分子电子学的理论研究 | 第13-16页 |
1.6 分子电子学实验常用测试方法 | 第16-26页 |
1.6.1 机械可控断裂结 | 第16-19页 |
1.6.2 扫描探针断裂结 | 第19-23页 |
1.6.3 其他类型的断裂结研究 | 第23-26页 |
1.7 本论文选题思路 | 第26-28页 |
第二章 STM-BJ测试平台的构筑 | 第28-35页 |
2.1 针尖的制备 | 第28-30页 |
2.2 金基底的制备 | 第30-31页 |
2.3 液池的清洗 | 第31-32页 |
2.4 STM-BJ系统的构建 | 第32-33页 |
2.5 STM-BJ系统的测试 | 第33页 |
2.6 本章小结 | 第33-35页 |
第三章 T-F-T系列分子的合成及电导值的测试 | 第35-58页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 T-F-T系列分子导线的合成 | 第35-38页 |
3.2.1 化合物2,7-二溴-9,9-二甲基芴的合成 | 第36页 |
3.2.2 化合物2,7-溴-9-芴酮的合成 | 第36页 |
3.2.3 化合物2,7-二噻吩芴的合成 | 第36-37页 |
3.2.4 化合物2,7-二噻吩-9-芴酮的合成 | 第37页 |
3.2.5 化合物2,7-二噻吩-9,9-二甲基芴的合成 | 第37页 |
3.2.6 化合物2,7-二噻吩-9-烯丙二氰芴的合成 | 第37-38页 |
3.3 T-F-T系列分子的性质表征 | 第38-45页 |
3.3.1 紫外可见吸收及荧光光谱分析 | 第38-39页 |
3.3.2 红外图谱表征 | 第39-40页 |
3.3.3 表面增强拉曼(SERS)分析 | 第40-43页 |
3.3.4 XPS对分子自组装膜的表征 | 第43-45页 |
3.4 T-F-T系列分子电学性质研究 | 第45-57页 |
3.4.1 T-F-T系列分子导线的STM-BJ测试 | 第45-51页 |
3.4.2 T-FO-T分子的可见光响应 | 第51-55页 |
3.4.3 溶剂效应对T-F-T分子的电学性质影响 | 第55-57页 |
3.5 本章小结 | 第57-58页 |
第四章 T-F-T系列分子导线的理论研究 | 第58-67页 |
4.1 T-F-T系列分子能级的研究 | 第58-60页 |
4.2 透射谱分析T-F-T系列分子电导值大小 | 第60-65页 |
4.3 本章小结 | 第65-67页 |
第五章 基于TTF和DPP结构的分子导线电导性质研究 | 第67-74页 |
5.1 基于TTF骨架的单分子电导研究 | 第67-69页 |
5.2 具有邻位和间位N原子吡啶基团的位阻效应 | 第69-71页 |
5.3 含有DPP结构的单分子电导的研究 | 第71-72页 |
5.4 本章小结 | 第72-74页 |
第六章 结论与展望 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-82页 |
致谢 | 第82页 |