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具有噻吩末端基团的D-A-D型分子导线的合成与电学性质研究

中文摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-28页
    1.1 前言第10页
    1.2 分子电子学发展历程第10-11页
    1.3 分子器件第11-12页
    1.4 分子电子传输性质的实验研究第12-13页
    1.5 分子电子学的理论研究第13-16页
    1.6 分子电子学实验常用测试方法第16-26页
        1.6.1 机械可控断裂结第16-19页
        1.6.2 扫描探针断裂结第19-23页
        1.6.3 其他类型的断裂结研究第23-26页
    1.7 本论文选题思路第26-28页
第二章 STM-BJ测试平台的构筑第28-35页
    2.1 针尖的制备第28-30页
    2.2 金基底的制备第30-31页
    2.3 液池的清洗第31-32页
    2.4 STM-BJ系统的构建第32-33页
    2.5 STM-BJ系统的测试第33页
    2.6 本章小结第33-35页
第三章 T-F-T系列分子的合成及电导值的测试第35-58页
    3.1 引言第35页
    3.2 T-F-T系列分子导线的合成第35-38页
        3.2.1 化合物2,7-二溴-9,9-二甲基芴的合成第36页
        3.2.2 化合物2,7-溴-9-芴酮的合成第36页
        3.2.3 化合物2,7-二噻吩芴的合成第36-37页
        3.2.4 化合物2,7-二噻吩-9-芴酮的合成第37页
        3.2.5 化合物2,7-二噻吩-9,9-二甲基芴的合成第37页
        3.2.6 化合物2,7-二噻吩-9-烯丙二氰芴的合成第37-38页
    3.3 T-F-T系列分子的性质表征第38-45页
        3.3.1 紫外可见吸收及荧光光谱分析第38-39页
        3.3.2 红外图谱表征第39-40页
        3.3.3 表面增强拉曼(SERS)分析第40-43页
        3.3.4 XPS对分子自组装膜的表征第43-45页
    3.4 T-F-T系列分子电学性质研究第45-57页
        3.4.1 T-F-T系列分子导线的STM-BJ测试第45-51页
        3.4.2 T-FO-T分子的可见光响应第51-55页
        3.4.3 溶剂效应对T-F-T分子的电学性质影响第55-57页
    3.5 本章小结第57-58页
第四章 T-F-T系列分子导线的理论研究第58-67页
    4.1 T-F-T系列分子能级的研究第58-60页
    4.2 透射谱分析T-F-T系列分子电导值大小第60-65页
    4.3 本章小结第65-67页
第五章 基于TTF和DPP结构的分子导线电导性质研究第67-74页
    5.1 基于TTF骨架的单分子电导研究第67-69页
    5.2 具有邻位和间位N原子吡啶基团的位阻效应第69-71页
    5.3 含有DPP结构的单分子电导的研究第71-72页
    5.4 本章小结第72-74页
第六章 结论与展望第74-76页
参考文献第76-82页
致谢第82页

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