| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 MOSFET简介 | 第9-10页 |
| 1.2 MOSFET源/漏电阻研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 MOSFET源/漏电阻研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 本文的工作 | 第13-15页 |
| 第二章 源/漏电阻的研究方法 | 第15-24页 |
| 2.1 源/漏电阻的提取方法 | 第15-16页 |
| 2.2 源/漏电阻的建模方法 | 第16-23页 |
| 2.2.1 数值计算法 | 第17-19页 |
| 2.2.2 解析法 | 第19页 |
| 2.2.3 半解析法 | 第19-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 基于数值建模法的非均匀掺杂源漏区MOSFET源/漏电阻模型解析 | 第24-36页 |
| 3.1 源/漏区物理模型的建立 | 第24-27页 |
| 3.2 源/漏区电阻模型的建立 | 第27-29页 |
| 3.3 数值计算源/漏电阻的算法实现 | 第29-35页 |
| 3.3.1 漏区电势数值计算方法 | 第29-33页 |
| 3.3.2 漏区电流数值计算方法 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 基于数值建模法的源漏区非均匀掺杂MOSFET源/漏电阻模型验证 | 第36-51页 |
| 4.1 ATLAS器件仿真流程及原理 | 第36-39页 |
| 4.1.1 ATLAS器件仿真流程 | 第36-38页 |
| 4.1.2 沟道电阻法提取源/漏电阻 | 第38-39页 |
| 4.2 高斯掺杂源/漏电阻的验证与分析 | 第39-45页 |
| 4.3 加硅化物高斯掺杂源/漏电阻的验证与分析 | 第45-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参与的科研项目 | 第57页 |