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CuO-Ga2O3赝二元体系化合物光电性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 CuGaO_2的基本性质第12-14页
    1.3 CuGa_2O_4的基本性质第14-16页
    1.4 研究内容与结构安排第16-17页
    参考文献第17-19页
第二章 实验方法及表征方法第19-26页
    2.1 粉末的制备方法第19-21页
    2.2 薄膜的制备方法第21-23页
    2.3 粉末和薄膜的表征手段第23页
    2.4 本章小结第23页
    参考文献第23-26页
第三章 CuGaO_2粉末、CuGa_2O_4粉末和CuGa_2O_4薄膜的制备与表征第26-44页
    3.1 粉末烧结的实验流程第26-27页
        3.1.1 前期准备第26页
        3.1.2 粉末的称量、研磨和烧结第26-27页
    3.2 粉末的表征第27-31页
        3.2.1 粉末的XRD表征第27-30页
        3.2.2 粉末的UV-Vis吸收光谱第30页
        3.2.3 CuGa_2O_4粉末的精修第30-31页
    3.3 CuGa_2O_4薄膜的制备过程第31-33页
        3.3.1 CuGa_2O_4靶材的制备规程第31页
        3.3.2 制备CuGa_2O_4薄膜的前期准备流程流程第31-32页
        3.3.3 制备CuGa_2O_4薄膜第32-33页
    3.4 CuGa_2O_4薄膜的表征第33-43页
        3.4.1 CuGa_2O_4薄膜的XRD表征第33-34页
        3.4.2 CuGa_2O_4薄膜的UV-Vis表征第34-37页
        3.4.3 CuGa_2O_4薄膜的厚度表征第37页
        3.4.4 CuGa_2O_4薄膜的表面形貌表征第37-39页
        3.4.5 CuGa_2O_4薄膜的XPS表征第39-40页
        3.4.6 CuGa_2O_4薄膜的EDS表征第40-41页
        3.4.7 CuGa_2O_4薄膜的TEM表征第41-43页
    3.5 本章小结第43页
    参考文献第43-44页
第四章 总结与展望第44-47页
    4.1 总结第44-45页
    4.2 展望第45-47页
致谢第47-49页
攻读硕士学位期间取得的学术成果列表第49页

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