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新型二维狄拉克材料和半金属材料的第一性原理研究

摘要第9-12页
ABSTRACT第12-14页
第一章 绪论第15-43页
    1.1 二维材料进展简介第15-18页
    1.2 二维狄拉克材料第18-27页
    1.3 二维有机拓扑绝缘体第27-28页
    1.4 自旋极化的狄拉克半导体第28-29页
    1.5 选题意义第29-31页
    1.6 论文结构第31-32页
    参考文献第32-43页
第二章 计算方法与软件介绍第43-59页
    2.1 第一性原理简介第43-45页
        2.1.1 Hatree-Fock方法第43-45页
    2.2 密度泛函理论(DFT)第45-47页
        2.2.1 Thomas-Fermi模型第45-46页
        2.2.2 Hohenberg定理第46页
        2.2.3 Kohn-Sham方程第46-47页
    2.3 交换关联势的种类第47-49页
    2.4 紧束缚方法第49-51页
    2.5 拓扑绝缘体陈数和量子反常霍尔效应陈数计算第51-53页
        2.5.1 Z_2计算方法第51页
        2.5.2 第一陈数计算第51-53页
    2.6 旺尼尔函数简介第53-54页
    2.7 VASP软件包简介第54-56页
    参考文献第56-59页
第三章 双轴应变调控的新型二维有机狄拉克材料第59-77页
    3.1 引言第59-62页
    3.2 计算细节与方法第62-63页
    3.3 结果与讨论第63-71页
    3.4 结论第71-72页
    参考文献第72-77页
第四章 新型有机三元半金属二维材料:C_2S_6N_3第77-93页
    4.1 引言第77-79页
    4.2 计算细节与方法第79页
    4.3 结果与讨论第79-86页
    4.4 小结第86-87页
    参考文献第87-93页
第五章 自旋极化的二维狄拉克MOFs第93-119页
    5.1 引言第93-97页
    5.2 计算方法与细节第97页
    5.3 结果与讨论第97-111页
        5.3.1 Ni_2C_(24)S_6H_(12)结构的性质第97-105页
        5.3.2 Ni_2C_(24)N_6H_(18), Ni_2C_(24)O_6H_(12)结构的计算第105-108页
        5.3.3 V_2C_(24)S_6H_(12)结构的性质第108-110页
        5.3.4 Ni_2S_6C_(24)H_(12)结构的性质第110-111页
    5.4 结论第111-112页
    参考文献第112-119页
第六章 总结与展望第119-123页
    6.1 本论文的主要内容和结论第119-121页
    6.2 本论文的创新点第121-122页
    6.3 展望第122-123页
致谢第123-124页
发表论文第124-125页
参加的学术会议与培训第125-126页
附件第126页

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