摘要 | 第9-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第15-43页 |
1.1 二维材料进展简介 | 第15-18页 |
1.2 二维狄拉克材料 | 第18-27页 |
1.3 二维有机拓扑绝缘体 | 第27-28页 |
1.4 自旋极化的狄拉克半导体 | 第28-29页 |
1.5 选题意义 | 第29-31页 |
1.6 论文结构 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-43页 |
第二章 计算方法与软件介绍 | 第43-59页 |
2.1 第一性原理简介 | 第43-45页 |
2.1.1 Hatree-Fock方法 | 第43-45页 |
2.2 密度泛函理论(DFT) | 第45-47页 |
2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第45-46页 |
2.2.2 Hohenberg定理 | 第46页 |
2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第46-47页 |
2.3 交换关联势的种类 | 第47-49页 |
2.4 紧束缚方法 | 第49-51页 |
2.5 拓扑绝缘体陈数和量子反常霍尔效应陈数计算 | 第51-53页 |
2.5.1 Z_2计算方法 | 第51页 |
2.5.2 第一陈数计算 | 第51-53页 |
2.6 旺尼尔函数简介 | 第53-54页 |
2.7 VASP软件包简介 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
第三章 双轴应变调控的新型二维有机狄拉克材料 | 第59-77页 |
3.1 引言 | 第59-62页 |
3.2 计算细节与方法 | 第62-63页 |
3.3 结果与讨论 | 第63-71页 |
3.4 结论 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-77页 |
第四章 新型有机三元半金属二维材料:C_2S_6N_3 | 第77-93页 |
4.1 引言 | 第77-79页 |
4.2 计算细节与方法 | 第79页 |
4.3 结果与讨论 | 第79-86页 |
4.4 小结 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-93页 |
第五章 自旋极化的二维狄拉克MOFs | 第93-119页 |
5.1 引言 | 第93-97页 |
5.2 计算方法与细节 | 第97页 |
5.3 结果与讨论 | 第97-111页 |
5.3.1 Ni_2C_(24)S_6H_(12)结构的性质 | 第97-105页 |
5.3.2 Ni_2C_(24)N_6H_(18), Ni_2C_(24)O_6H_(12)结构的计算 | 第105-108页 |
5.3.3 V_2C_(24)S_6H_(12)结构的性质 | 第108-110页 |
5.3.4 Ni_2S_6C_(24)H_(12)结构的性质 | 第110-111页 |
5.4 结论 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-119页 |
第六章 总结与展望 | 第119-123页 |
6.1 本论文的主要内容和结论 | 第119-121页 |
6.2 本论文的创新点 | 第121-122页 |
6.3 展望 | 第122-123页 |
致谢 | 第123-124页 |
发表论文 | 第124-125页 |
参加的学术会议与培训 | 第125-126页 |
附件 | 第126页 |