纳米SiCN薄膜的制备和磁有序的研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第10页 |
| 1.2 磁性半导体的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 稀磁半导体 | 第10-11页 |
| 1.2.2 非磁性半导体的磁性研究 | 第11-12页 |
| 1.3 SiCN的研究现状和制备方法 | 第12-14页 |
| 1.3.1 SiCN的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 SiCN的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第14-16页 |
| 2 薄膜的制备及研究方法 | 第16-21页 |
| 2.1 基底材料、靶材及实验气体 | 第16页 |
| 2.2 实验设备 | 第16-17页 |
| 2.2.1 磁控溅射系统 | 第16页 |
| 2.2.2 离子注入系统 | 第16页 |
| 2.2.3 薄膜高温退火处理 | 第16-17页 |
| 2.3 薄膜的表征 | 第17-21页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测试 | 第17页 |
| 2.3.2 光致发光性能测试 | 第17页 |
| 2.3.3 X射线衍射谱分析 | 第17-18页 |
| 2.3.4 傅立叶变换红外光谱 | 第18-19页 |
| 2.3.5 物理特性测试系统 | 第19页 |
| 2.3.6 原子力显微镜 | 第19-21页 |
| 3 磁控溅射制备SiCN薄膜及薄膜特性研究 | 第21-32页 |
| 3.1 薄膜的制备 | 第21页 |
| 3.1.1 基底的处理 | 第21页 |
| 3.1.2 样品的制备 | 第21页 |
| 3.2 不同的气体流量比对薄膜样品的影响 | 第21-26页 |
| 3.2.1 结构分析 | 第21页 |
| 3.2.2 不同气体流量比下的FTIR图谱分析 | 第21-23页 |
| 3.2.3 不同气体流量比下的AFM图谱分析 | 第23页 |
| 3.2.4 薄膜样品磁性的分析 | 第23-25页 |
| 3.2.5 发光特性研究 | 第25-26页 |
| 3.3 退火温度对薄膜样品的影响 | 第26-29页 |
| 3.3.1 结构分析 | 第26-27页 |
| 3.3.2 不同退火温度下的FTIR图谱分析 | 第27-28页 |
| 3.3.3 不同退火温度下的AFM图谱分析 | 第28-29页 |
| 3.3.4 薄膜样品磁性的分析 | 第29页 |
| 3.4 衬底温度对薄膜性质的影响 | 第29-31页 |
| 3.4.1 不同衬底温度下的FTIR图谱分析 | 第29-30页 |
| 3.4.2 薄膜样品磁性的分析 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 离子注入法制备SiCN薄膜及薄膜特性研究 | 第32-38页 |
| 4.1 样品的制备 | 第32页 |
| 4.1.1 SiC薄膜的制备 | 第32页 |
| 4.1.2 离子注入过程 | 第32页 |
| 4.2 特性研究 | 第32-37页 |
| 4.2.1 结构分析 | 第32-33页 |
| 4.2.2 傅立叶变换红外光谱分析 | 第33-34页 |
| 4.2.3 不同离子注入剂量下的AFM图谱分析 | 第34-35页 |
| 4.2.4 薄膜的磁性分析 | 第35-37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 5 结论 | 第38-40页 |
| 5.1 本文的主要结果 | 第38-39页 |
| 5.2 未来需要解决的问题 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
