GaN基LED外延生长工艺的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 GaN 材料及发光器件的发展 | 第8-9页 |
| 1.2.1 GaN 材料的发展 | 第8-9页 |
| 1.2.2 GaN 基发光器件的发展 | 第9页 |
| 1.3 GaN 材料基本特性 | 第9-12页 |
| 1.3.1 GaN 的基本结构 | 第9-11页 |
| 1.3.2 GaN 的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的研究意义及目的 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文的工作及安排 | 第13-15页 |
| 第二章 可靠性及静电的相关知识 | 第15-27页 |
| 2.1 可靠性的基本理论 | 第15-17页 |
| 2.1.1 可靠性的基本概念 | 第15-16页 |
| 2.1.2 半导体器件的失效规律 | 第16-17页 |
| 2.2 影响GaN 基LED 可靠性的因素 | 第17-21页 |
| 2.2.1 GaN 基外延材料中的缺陷 | 第17-18页 |
| 2.2.2 芯片的结构设计 | 第18页 |
| 2.2.3 p 型GaN 及欧姆接触的退化 | 第18-19页 |
| 2.2.4 静电损伤 | 第19-20页 |
| 2.2.5 封装材料的退化 | 第20-21页 |
| 2.3 静电的相关知识 | 第21-25页 |
| 2.3.1 静电的产生及放电模式 | 第21-23页 |
| 2.3.2 LED 的静电击穿机理 | 第23-24页 |
| 2.3.3 LED 的抗静电特点 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 GaN 基LED 芯片外延生长参数的优化 | 第27-41页 |
| 3.1 GaN 材料的MOCVD 外延生长机理 | 第27-31页 |
| 3.1.1 MOCVD 设备简介 | 第27-29页 |
| 3.1.2 GaN 材料的外延生长机理 | 第29-31页 |
| 3.2 GaN 基LED 外延生长参数的优化 | 第31-39页 |
| 3.2.1 n-GaN 掺杂浓度的优化 | 第31-33页 |
| 3.2.2 p-GaN 掺杂浓度的优化 | 第33-35页 |
| 3.2.3 阱层生长温度的优化 | 第35-36页 |
| 3.2.4 p-AlGaN 温度的优化 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 GaN 基LED 静电可靠性的外延研究 | 第41-57页 |
| 4.1 垒掺In 提高LED 的可靠性 | 第41-48页 |
| 4.1.1 理论基础 | 第41-42页 |
| 4.1.2 实验及测试结果 | 第42-47页 |
| 4.1.3 分析总结 | 第47-48页 |
| 4.2 图形衬底提高LED 的可靠性 | 第48-56页 |
| 4.2.1 理论基础 | 第48-49页 |
| 4.2.2 实验及测试结果 | 第49-55页 |
| 4.2.3 分析总结 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
