| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 VO_x薄膜的应用领域 | 第10-14页 |
| 1.2.1 VO_x薄膜在红外探测器的应用 | 第10-11页 |
| 1.2.2 VO_x薄膜在智能窗的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.3 VO_x薄膜在相变存储器的应用 | 第12页 |
| 1.2.4 THz 波调制应用 | 第12-14页 |
| 1.3 VO_x薄膜的研究现状 | 第14页 |
| 1.4 本课题研究内容与意义 | 第14-15页 |
| 第二章 VO_x的理化性质及薄膜制备和分析 | 第15-31页 |
| 2.1 钒氧化物的理化性质简介 | 第15-20页 |
| 2.1.1 五氧化二钒(V_2O_5) | 第16-17页 |
| 2.1.2 三氧化二钒(V_2O_3) | 第17页 |
| 2.1.3 二氧化钒(VO_2) | 第17-20页 |
| 2.2 VO_x薄膜的制备工艺介绍 | 第20-24页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| 2.2.2 真空蒸发法 | 第21页 |
| 2.2.3 溅射镀膜法 | 第21-23页 |
| 2.2.4 脉冲激光沉积法 | 第23-24页 |
| 2.3 VO_x薄膜的微观分析手段和测试方法 | 第24-31页 |
| 2.3.1 VO_x薄膜的结晶状况分析 | 第24-25页 |
| 2.3.2 VO_x薄膜的表面形貌分析 | 第25-27页 |
| 2.3.3 VO_x薄膜的组成成分分析 | 第27页 |
| 2.3.4 VO_x薄膜的电学特性测试 | 第27-30页 |
| 2.3.5 VO_x薄膜的 THz 传输特性测试 | 第30-31页 |
| 第三章 磁控溅射结合快速热处理方法制备 VO_x薄膜及其改性研究 | 第31-38页 |
| 3.1 VO_x薄膜制备及改性的设备 | 第31-32页 |
| 3.1.1 溅射镀膜设备 | 第31-32页 |
| 3.1.2 快速热处理系统 | 第32页 |
| 3.2 VO_x薄膜制备及其改性工艺流程 | 第32-35页 |
| 3.2.1 R 面蓝宝石基底的清洗流程 | 第32-33页 |
| 3.2.2 磁控溅射制备金属钒薄膜的工艺及参数 | 第33-34页 |
| 3.2.3 金属钒薄膜的快速热氧化工艺及参数 | 第34-35页 |
| 3.2.4 VO_x薄膜的氮气改性热处理工艺及参数 | 第35页 |
| 3.3 VO_x薄膜的微观分析和测试 | 第35-38页 |
| 3.3.1 VO_x薄膜的微观分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 VO_x薄膜的电学特性测试 | 第36-37页 |
| 3.3.3 VO_x薄膜的光学特性测试 | 第37-38页 |
| 第四章 实验数据结果与分析 | 第38-63页 |
| 4.1 不同热氧化条件对制备 VO_x薄膜性能影响 | 第38-54页 |
| 4.1.1 VO_x薄膜的结晶状况 | 第39-41页 |
| 4.1.2 VO_x薄膜的表面形貌 | 第41-45页 |
| 4.1.3 VO_x 薄膜的组成成分 | 第45-48页 |
| 4.1.4 热激励下 VO_x薄膜的电学特性 | 第48-50页 |
| 4.1.5 热激励下 VO_x 薄膜的 THz 传输特性 | 第50-52页 |
| 4.1.6 光激励下 VO_x 薄膜的 THz 传输特性 | 第52-54页 |
| 4.2 氮气快速热处理对 VO_x薄膜进行改性 | 第54-61页 |
| 4.2.1 VO_x薄膜的结晶状况改性分析 | 第55页 |
| 4.2.2 VO_x薄膜的表面形貌改性分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 VO_x薄膜的组成成分改性分析 | 第56-57页 |
| 4.2.4 热激励下 VO_x薄膜的电学特性改性分析 | 第57-59页 |
| 4.2.5 热激励下 VO_x 薄膜的 THz 传输特性改性分析 | 第59-60页 |
| 4.2.6 光激励下 VO_x 薄膜的 THz 传输特性改性分析 | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 实验总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 实验总结 | 第63-64页 |
| 5.2 工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
