| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第—章 拓扑绝缘体简介 | 第8-18页 |
| 1.1 拓扑绝缘体的概念 | 第8-10页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的发展：二维材料到三维材料 | 第10-11页 |
| 1.3 铋系材料的晶体结构、表面电子结构及输运性质 | 第11-13页 |
| 1.3.1 晶体结构及表面电子结构 | 第11-12页 |
| 1.3.2 输运性质 | 第12-13页 |
| 1.4 磁性拓扑绝缘体 | 第13-16页 |
| 1.5 拓扑绝缘体的潜在应用 | 第16-18页 |
| 1.5.1 实现量子反常霍尔效应 | 第16页 |
| 1.5.2 实现磁单极子 | 第16-17页 |
| 1.5.3 寻找马约纳费米子 | 第17-18页 |
| 第二章 样品材料的制备和测量手段介绍 | 第18-21页 |
| 2.1 样品材料制备 | 第18页 |
| 2.2 化学成分分析 | 第18-19页 |
| 2.3 晶体结构表征 | 第19页 |
| 2.4 磁学、输运性质测量 | 第19-21页 |
| 第三章 掺杂研究 | 第21-33页 |
| 3.1 本征拓扑绝缘体 | 第21-25页 |
| 3.1.1 Bi_2Se_x和Ca-doped Bi_2Se_3 | 第21-24页 |
| 3.1.2 Bi_2Te_2Se | 第24-25页 |
| 3.2 磁性拓扑绝缘体 | 第25-31页 |
| 3.2.1 Cr_y(Bi_xSb_(1-x))_(2-y)Te_3 | 第25-28页 |
| 3.2.2 Fe_(0.1)BiSbTe_3 | 第28-30页 |
| 3.2.3 Cr (Co)-doped Bi_2Se_3和Fe-doped Bi_2Te_2Se | 第30-31页 |
| 3.3 超导材料CU_xBI_2SE_3 | 第31-33页 |
| 第四章 总结与展望 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第37-38页 |
| 致谢 | 第38-39页 |
