| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 本课题的研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 半导体照明的研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.1.2 GaN 基材料的研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN 基 LED 的研究现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 GaN 基 LED 发展历程与技术难点 | 第11-15页 |
| 1.2.2 提高 LED 发光效率的现有技术 | 第15-18页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 III-V 族氮化物材料的外延生长 | 第20-34页 |
| 2.1 III-V 族氮化物材料 | 第20-26页 |
| 2.1.1 III-V 族氮化物材料的性质 | 第20-22页 |
| 2.1.2 GaN 材料的光电学性质 | 第22-24页 |
| 2.1.3 GaN 材料衬底 | 第24-26页 |
| 2.2 外延生长技术及相关设备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 金属有机物化学气相外延（MOCVD） | 第26-27页 |
| 2.2.2 氢化物气相外延（HVPE） | 第27页 |
| 2.2.3 分子束外延（MBE） | 第27-29页 |
| 2.3 GaN 材料的 MOCVD 生长 | 第29-32页 |
| 2.3.1 MOCVD 沉积 GaN 薄膜 | 第29-30页 |
| 2.3.2 实验用的 MOCVD 设备 | 第30-32页 |
| 2.4 总结 | 第32-34页 |
| 第三章 高光效 GaN 基 LED 的外延生长 | 第34-41页 |
| 3.1 高光效 GaN 基 LED 的实现 | 第34-39页 |
| 3.1.1 缓冲层的生长 | 第35页 |
| 3.1.2 u-GaN、n-GaN 的生长 | 第35-37页 |
| 3.1.3 多量子阱的生长 | 第37-38页 |
| 3.1.4 p-GaN 生长 | 第38-39页 |
| 3.2 结果与分析 | 第39-40页 |
| 3.3 总结 | 第40-41页 |
| 第四章 GaN 基 LED 的 p-GaN 生长研究 | 第41-51页 |
| 4.1 p-GaN 的外延生长 | 第41-44页 |
| 4.1.1 传统结构 p-GaN 层外延生长 | 第41-43页 |
| 4.1.2 传统结构外延片的生长结果 | 第43-44页 |
| 4.2 基于传统结构进行外延工艺改进 | 第44-50页 |
| 4.2.1 改进外延结构的工艺实现 | 第44-45页 |
| 4.2.2 LT-HIL 结构外延片的生长结果 | 第45-47页 |
| 4.2.3 改进 LT-HIL 结构外延片测试结果 | 第47-50页 |
| 4.3 结论 | 第50-51页 |
| 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第59页 |
