闪存存储系统的性能优化技术研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 研究背景 | 第9-15页 |
| 1.2.1 闪存基本介绍 | 第9-11页 |
| 1.2.2 闪存中的错误 | 第11-13页 |
| 1.2.3 LDPC码 | 第13-15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-18页 |
| 2 读写访问时延模型 | 第18-26页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 访问时延模型 | 第18-22页 |
| 2.2.1 写时延模型 | 第18-20页 |
| 2.2.2 读时延模型 | 第20-22页 |
| 2.2.3 访问模型 | 第22页 |
| 2.3 模型实验分析 | 第22-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 基于访问特征的读写性能优化 | 第26-38页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 读写访问特征 | 第27-28页 |
| 3.3 读写访问速度调制 | 第28-33页 |
| 3.3.1 访问特征识别 | 第28-29页 |
| 3.3.2 访问速度调制 | 第29-31页 |
| 3.3.3 开销分析 | 第31-33页 |
| 3.4 实验及分析 | 第33-37页 |
| 3.4.1 实验方法 | 第33-34页 |
| 3.4.2 实验结果分析 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 基于错误特征的读性能优化 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 闪存错误特征 | 第39-40页 |
| 4.3 非对称读取电压设置 | 第40-45页 |
| 4.3.1 状态之间读取电压非对称设置 | 第40-42页 |
| 4.3.2 状态内部读取电压非对称设置 | 第42-45页 |
| 4.4 实验及分析 | 第45-48页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第45-46页 |
| 4.4.2 实验结果与分析 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 总结与展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 附录 | 第59-60页 |
| A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第59页 |
| B. 作者在攻读学位期间发表的专利目录 | 第59-60页 |
| C. 作者在攻读学位期间参加的科研项目目录 | 第60页 |
