| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 新型 2D半导体材料简介 | 第9页 |
| 1.2 SnO半导体材料概述 | 第9-11页 |
| 1.2.1 SnO半导体材料的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 SnO半导体材料的基本特性 | 第10-11页 |
| 1.3 SnO半导体材料的研究综述 | 第11-15页 |
| 1.3.1 SnO半导体材料的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 2 维SnO半导体材料的应用前景 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第15-17页 |
| 1.4.1 本论文的研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第16-17页 |
| 2 2 维SnO半导体薄膜的制备与特性分析 | 第17-26页 |
| 2.1 2 维SnO半导体薄膜制备方法 | 第17-20页 |
| 2.1.1 实验仪器及设备介绍 | 第17-19页 |
| 2.1.2 实验方法 | 第19-20页 |
| 2.2 制备的2维SnO半导体薄膜样品的测试分析 | 第20-24页 |
| 2.2.1 台阶仪测试分析 | 第20-21页 |
| 2.2.2 SnO半导体薄膜的XRD衍射图分析 | 第21-22页 |
| 2.2.3 SnO半导体薄膜的XPS表征分析 | 第22-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-26页 |
| 3 2 维SnO半导体场效应晶体管的制备及IV特性研究 | 第26-38页 |
| 3.1 场效应晶体管结构及特性概述 | 第26-27页 |
| 3.1.1 场效应晶体管的基本结构 | 第26页 |
| 3.1.2 场效应晶体管的工作原理 | 第26-27页 |
| 3.2 SnO半导体薄膜FETs的结构及制备过程 | 第27-29页 |
| 3.2.1 SnO半导体薄膜FETs的结构图 | 第27-28页 |
| 3.2.2 SnO半导体薄膜FETs的制备过程 | 第28-29页 |
| 3.3 SnO半导体薄膜FETs的IV特性研究 | 第29-37页 |
| 3.3.1 器件参数的选取与测试 | 第29-30页 |
| 3.3.2 SnO半导体薄膜FETs的IV特性分析 | 第30-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |