| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 ZnO 基压敏电阻陶瓷概述 | 第12-20页 |
| 1.2.1 ZnO 压敏陶瓷的显微结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO 压敏电阻的压敏特性 | 第13-15页 |
| 1.2.3 ZnO 压敏陶瓷的分类 | 第15-17页 |
| 1.2.4 ZnOPr_6O_(11)基压敏陶瓷的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2.5 Mn 掺杂 ZnOPr_6O_(11)基压敏陶瓷的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 ZnOPr_6O_(11)系压敏电阻研究的必要性 | 第20-21页 |
| 1.4 本文研究的内容、难点及技术路线 | 第21-24页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第22页 |
| 1.4.2 课题研究中的难点 | 第22页 |
| 1.4.3 研究的技术路线及工艺流程图 | 第22-24页 |
| 1.4.3.1 技术路线图 | 第22-23页 |
| 1.4.3.2 工艺流程图 | 第23-24页 |
| 2 实验方法 | 第24-26页 |
| 2.1 陶瓷制备工艺 | 第24页 |
| 2.2 陶瓷相对密度 | 第24页 |
| 2.3 陶瓷物相组成分析 | 第24页 |
| 2.4 陶瓷显微形貌的观察 | 第24-25页 |
| 2.5 压敏陶瓷的电流电压（IV）特性测试 | 第25页 |
| 2.6 陶瓷烧结动力学的研究 | 第25-26页 |
| 3 PrMnO_3前驱体对 ZnPrO 基压敏电阻陶瓷的影响 | 第26-43页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 PrMnO_3前驱体的制备 | 第26-27页 |
| 3.3 PrMnO_3前驱体含量对 ZnPrO 基压敏电阻陶瓷的影响 | 第27-33页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第27-28页 |
| 3.3.2 PrMnO_3前驱体含量对 ZnPrO 基压敏陶瓷相组成的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.3 PrMnO_3前驱体含量对 ZnPrO 基压敏相对密度的影响 | 第29页 |
| 3.3.4 PrMnO_3前驱体含量对 ZnPrO 基压敏陶瓷显微组织的影响 | 第29-32页 |
| 3.3.5 PrMnO_3前驱体含量对 ZnPrO 基压敏陶瓷电学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 烧结温度对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 基压敏电阻陶瓷的影响 | 第33-38页 |
| 3.4.1 烧结温度对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷相组成的影响 | 第34页 |
| 3.4.2 烧结温度对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷相对密度的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.3 烧结温度对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷显微组织的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.4 烧结温度对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷电学性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.5 保温时间对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 基压敏电阻陶瓷的影响 | 第38-42页 |
| 3.5.1 保温时间对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷相组成的影响 | 第38-39页 |
| 3.5.2 保温时间对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷相对密度的影响 | 第39页 |
| 3.5.3 保温时间对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷显微组织的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.4 保温时间对 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 PrMnO_3前驱体掺杂 ZnPrO 陶瓷晶粒生长动力学研究 | 第43-50页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 样品制备 | 第43-44页 |
| 4.3 晶粒生长动力学 | 第44-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 Mn 掺杂形式对 ZnPrO 基压敏电阻陶瓷的影响 | 第50-55页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 样品制备 | 第50页 |
| 5.3 Mn 掺杂形式对 ZnPrO 陶瓷相组成的影响 | 第50-51页 |
| 5.4 Mn 掺杂形式对 ZnPrO 陶瓷相对密度的影响 | 第51-52页 |
| 5.5 Mn 掺杂形式对 ZnPrO 陶瓷显微组织的影响 | 第52-53页 |
| 5.6 Mn 掺杂形式对 ZnPrO 陶瓷电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 5.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 在学研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
