摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 背景 | 第11-12页 |
1.2 半导体光催化的发展 | 第12-13页 |
1.3 半导体光催化反应机理 | 第13-15页 |
1.4 影响半导体光催化活性的因素 | 第15-17页 |
1.4.1 能带结构 | 第15-16页 |
1.4.2 形貌 | 第16页 |
1.4.3 浓度和光照条件 | 第16-17页 |
1.5 提高半导体光催化活性的途径 | 第17-20页 |
1.5.1 表面沉积贵金属 | 第17-18页 |
1.5.2 半导体复合 | 第18-19页 |
1.5.3 离子掺杂 | 第19页 |
1.5.4 有机染料光敏化 | 第19-20页 |
1.6 选题依据、目的、意义和内容 | 第20-23页 |
第二章 不同形貌 CdS 光催化剂的制备 | 第23-37页 |
2.1 引言 | 第23-24页 |
2.2 实验部分 | 第24-26页 |
2.2.1 原材料与仪器设备 | 第24-25页 |
2.2.2 样品制备 | 第25页 |
2.2.3 样品表征及测试 | 第25-26页 |
2.3 结果与讨论 | 第26-35页 |
2.3.1 硫脲浓度对 CdS 形貌的影响 | 第26-30页 |
2.3.2 反应温度和时间对 CdS 形貌的影响 | 第30-32页 |
2.3.3 添加剂对 CdS 形貌的影响 | 第32-34页 |
2.3.4 不同形貌 CdS 的光学性能和光催化性能测试 | 第34-35页 |
2.4 本章小结 | 第35-37页 |
第三章 Ag/CdS 异质结的制备及其光催化研究 | 第37-47页 |
3.1 引言 | 第37-38页 |
3.2 实验部分 | 第38-39页 |
3.2.1 Ag 纳米线的制备 | 第38页 |
3.2.2 Ag/CdS 核壳结构的制备 | 第38页 |
3.2.3 样品表征及测试 | 第38-39页 |
3.3 结果和讨论 | 第39-45页 |
3.3.1 Ag/CdS 形貌表征 | 第39-41页 |
3.3.2 Ag/CdS 形成机制 | 第41-42页 |
3.3.3 Ag/CdS 光催化性能 | 第42-44页 |
3.3.4 Ag/CdS 光学性能表征 | 第44-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 CdS/Cu_2O 异质结的制备及其光催化研究 | 第47-57页 |
4.1 引言 | 第47-48页 |
4.2 实验部分 | 第48-49页 |
4.2.1 CdS 纳米线的制备 | 第48页 |
4.2.2 CdS/Cu_2O 复合材料的制备 | 第48页 |
4.2.3 样品表征及测试 | 第48-49页 |
4.3 结果和讨论 | 第49-55页 |
4.3.1 CdS/Cu_2O 形貌表征 | 第49-51页 |
4.3.2 CdS/Cu_2O 形成机制 | 第51-52页 |
4.3.3 CdS/Cu_2O 光催化性能 | 第52-54页 |
4.3.4 CdS/Cu_2O 光学性能表征 | 第54-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-57页 |
第五章 结论及展望 | 第57-61页 |
5.1 结论 | 第57-58页 |
5.2 展望 | 第58-61页 |
参考文献 | 第61-73页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第73-75页 |
致谢 | 第75页 |