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热蒸发法制备II-VI族半导体纳米材料及其性能表征

摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第一章 绪论第12-28页
   ·引言第12-13页
   ·纳米材料的特性第13-14页
     ·纳米科技第13页
     ·纳米材料第13-14页
   ·纳米材料的特殊效应第14-16页
     ·表面效应第14-15页
     ·小尺寸效应第15页
     ·量子尺寸效应第15页
     ·宏观量子隧道效应第15-16页
   ·一维纳米材料的制备方法第16-23页
     ·气相合成法第16-19页
       ·气液固(VLS)方法第17-19页
       ·气固(VS)方法第19页
     ·液相合成法第19-20页
       ·固液固法(SLS)第19-20页
       ·溶剂热法第20页
     ·模板法第20-23页
       ·硬模板法第20-22页
       ·软模板法第22-23页
   ·Ⅱ-Ⅵ族化合物纳米半导体研究现状第23-27页
     ·二元II-VI 族化合物纳米半导体第23-24页
     ·三元II-VI 族化合物纳米半导体第24-25页
     ·掺杂II-VI 族化合物纳米半导体第25页
     ·II-VI 族化合物纳米半导体应用第25-27页
   ·本文研究内容及研究意义第27-28页
     ·本课题的意义第27页
     ·本课题的研究内容第27-28页
第二章 实验仪器及表征手段第28-34页
   ·Ⅱ-Ⅵ族化合物纳米结构的制备第28-30页
     ·实验仪器、设备第28-29页
     ·实验所用原料第29-30页
     ·典型的实验过程第30页
   ·实验样品的表征第30-34页
     ·X 射线衍射(XRD)第30-31页
     ·扫描电子显微镜形貌分析(SEM)第31-32页
     ·透射电子显微镜(TEM)分析第32页
     ·激光拉曼光谱(Raman)第32-33页
     ·光致发光光谱(PL)第33-34页
第三章 一维CdS 纳米结构第34-44页
   ·引言第34页
   ·实验第34-35页
   ·结果与讨论第35-43页
     ·各种一维CdS 纳米结构的形貌特征第35-37页
     ·一维CdS 纳米线第37-40页
       ·一维CdS 纳米线XRD 物相分析第37页
       ·一维CdS 纳米线形貌及微观结构分析第37-38页
       ·一维CdS 纳米线的光致发光分析第38-39页
       ·一维CdS 纳米线的拉曼分析第39-40页
     ·一维CdS 纳米带第40-42页
       ·一维CdS 纳米带形貌分析第40页
       ·一维CdS 纳米带光致发光分析第40-42页
     ·一维CdS 纳米结构的生长机理第42-43页
       ·纳米线生长机制第42页
       ·纳米带生长机制第42-43页
   ·本章小结第43-44页
第四章 网络状CdS 纳米结构第44-58页
   ·引言第44-45页
   ·实验第45页
   ·结果与讨论第45-57页
     ·形貌与结构分析第45-49页
     ·生长机理研究第49-52页
     ·光致发光特性第52-54页
     ·纳米光波导研究第54-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 三元Zn_xCd_(1-x)S 纳米结构第58-65页
   ·引言第58页
   ·实验第58-59页
   ·结果与讨论第59-64页
     ·物相及微观形貌分析第59-61页
     ·Zn_(0.06)Cd_(0.94)S 生长机理分析第61-63页
     ·Zn_(0.06)Cd_(0.94)S 纳米线荧光分析第63页
     ·Zn_(0.06)Cd_(0.94)S 拉曼分析第63-64页
   ·本章小结第64-65页
第六章 三元Zn_xCd_(1-x)S@ Si0_2复合纳米材料第65-73页
   ·前言第65-66页
   ·实验第66页
   ·结果与讨论第66-72页
     ·Zn_xCd_(1-x)S@ Si0_2 针状密排结构第66-69页
       ·形貌与结构分析第66-68页
       ·光致发光分析第68-69页
     ·Zn_xCd_(1-x)S@ Si0_2 纳米多孔复合材料第69-72页
       ·形貌与结构分析第69-71页
       ·生长机理分析第71页
       ·Zn_xCd_(1-x)S@ Si0_2 多孔纳米复合材料光致发光分析第71-72页
   ·本章小结第72-73页
第七章 结论与展望第73-75页
 结论第73页
 展望第73-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-87页
附录第87-88页

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