| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 氧化物半导体气敏传感器气敏机理研究进展 | 第10-15页 |
| 1.2.1 化学反应方面材料气敏传感机理的研究 | 第10-12页 |
| 1.2.2 材料结构方面材料气敏传感机理的研究 | 第12-14页 |
| 1.2.3 电学性能方面气敏材料机理的研究 | 第14-15页 |
| 1.3 氧化物半导体材料结构形貌研究进展 | 第15-20页 |
| 1.3.1 纯氧化物半导体材料 | 第15-16页 |
| 1.3.2 掺杂氧化物半导体材料 | 第16-17页 |
| 1.3.3 氧化物-氧化物异质结半导体材料 | 第17-18页 |
| 1.3.4 金属-氧化物肖特基结半导体材料 | 第18-19页 |
| 1.3.5 复合氧化物半导体材料 | 第19-20页 |
| 1.3.6 石墨烯基氧化物半导体材料 | 第20页 |
| 1.4 本课题研究目的和内容 | 第20-22页 |
| 2 气敏材料制备和表征 | 第22-42页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第22-23页 |
| 2.2 ZnO基纳米材料的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 CdO-Mn-ZnO气敏材料的制备 | 第23页 |
| 2.2.2 Au-Ni-ZnO气敏材料的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 ZnO纳米粉体采用 15kW高频等离子装置制备 | 第24-25页 |
| 2.3 ZnO基纳米材料的表征 | 第25-40页 |
| 2.3.1 CdO-Mn-ZnO气敏材料的表征 | 第25-31页 |
| 2.3.2 Au-Ni-ZnO气敏材料的表征 | 第31-35页 |
| 2.3.3 Zn-dope ZnO气敏材料的表征 | 第35-40页 |
| 2.4 小结 | 第40-42页 |
| 3 气敏性能研究 | 第42-58页 |
| 3.1 试验仪器和试剂 | 第42页 |
| 3.2 WS-30A静态测试气敏系统 | 第42-45页 |
| 3.2.1 组成及测试原理 | 第42-43页 |
| 3.2.2 传感器器件的制备 | 第43-44页 |
| 3.2.3 气体测量方法 | 第44-45页 |
| 3.3 CdO-Mn-ZnO的气敏性能测试 | 第45-52页 |
| 3.4 Au-Ni-ZnO的气敏性能测试 | 第52-55页 |
| 3.5 Zn-ZnO的气敏性能测试 | 第55-56页 |
| 3.6 小结 | 第56-58页 |
| 4 气敏传感器材料的应用 | 第58-62页 |
| 4.1 场效应晶体管传感器 | 第58页 |
| 4.2 乙醇-丙酮传感器阵列 | 第58-59页 |
| 4.3 新型传感器报警电路的设计 | 第59-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-62页 |
| 5 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 附录 硕士研究生期间研究成果 | 第74页 |