| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO微纳米结构的发展及研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 ZnO薄膜的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 ZnO薄膜的特性及应用 | 第16-18页 |
| 1.5 ZnO微纳米结构和薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.6 本文的研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第2章 实验与原理与方法 | 第21-30页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 ZnO晶体结构和特性 | 第21-23页 |
| 2.2.1 ZnO晶体结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 ZnO晶体特性 | 第22-23页 |
| 2.3 实验方法 | 第23-25页 |
| 2.3.1 湿法刻蚀 | 第23页 |
| 2.3.2 水热法 | 第23-24页 |
| 2.3.3 反胶束微乳液法 | 第24-25页 |
| 2.4 化学试剂及设备 | 第25-26页 |
| 2.4.1 化学试剂 | 第25页 |
| 2.4.2 设备 | 第25-26页 |
| 2.5 分析手段及基本原理 | 第26-30页 |
| 2.5.1 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.5.2 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.5.3 原子力显微镜 | 第28-30页 |
| 第3章 单晶Si(100)衬底表面改型的优化 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 “V”型槽刻蚀的改进和优化 | 第31-33页 |
| 3.2.1 去除光刻胶的改进 | 第31页 |
| 3.2.2 衬底放置方式的改进 | 第31-32页 |
| 3.2.3 水浴温度的优化 | 第32页 |
| 3.2.4 清洗试样的优化 | 第32页 |
| 3.2.5 优化后的实验步骤 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-40页 |
| 3.3.1 刻蚀前清洗的优化对去除光刻胶的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 衬底放置方式的优化对刻蚀形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 水浴温度的优化对刻蚀时间的影响 | 第36-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 “V”型槽上制备氧化锌中空微纳米结构膜的探索 | 第41-68页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 4.2.1 反应衬底的预处理 | 第42-43页 |
| 4.2.2 前驱溶液的配置 | 第43页 |
| 4.2.3 水热反应 | 第43-44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-60页 |
| 4.3.1 水热时间的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.2 冷却速度的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 溶胶含量的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.4 CTAB含量的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.5 PH值的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.6 生长机制的探讨 | 第58-60页 |
| 4.4 “V”型槽上制备氧化锌中空微纳米结构膜的初步探索 | 第60-67页 |
| 4.4.1 种子层的制备 | 第61-63页 |
| 4.4.2 种子层对“V”型槽上制备氧化锌中空微纳米结构阵列的影响 | 第63-64页 |
| 4.4.3 连续水热对“V”型槽上制备氧化锌中空微纳米结构膜的影响 | 第64-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
