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氮化铜薄膜的光存储应用研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-14页
    1.1 氮化铜薄膜概述第8-10页
        1.1.1 氮化铜薄膜简介第8-9页
        1.1.2 氮化铜薄膜应用第9-10页
    1.2 光存储概述第10-11页
        1.2.1 光存储简介第10-11页
        1.2.2 光存储应用第11页
    1.3 氮化铜薄膜的光存储应用研究的意义第11-13页
    1.4 本章小结第13-14页
第二章 氮化铜薄膜和光存储的相关知识介绍第14-24页
    2.1 氮化铜薄膜介绍第14-20页
        2.1.1 氮化铜薄膜的结构第14-15页
        2.1.2 氮化铜薄膜的研究现状第15-18页
        2.1.3 氮化铜薄膜的制备原理第18-20页
    2.2 光存储介绍第20-23页
        2.2.1 光存储器的结构第20-21页
        2.2.2 光存储器的研究现状第21-22页
        2.2.3 光存储器记录和读取的原理第22-23页
    2.3 本章小结第23-24页
第三章 基于氮化铜薄膜光存储器的研究与设计第24-31页
    3.1 基于氮化铜薄膜一次写入型光盘的研究与设计第24-26页
        3.1.1 光盘的结构第25页
        3.1.2 光盘的记录和读取方式第25-26页
        3.1.3 光盘的制备方法第26页
    3.2 基于氮化铜薄膜一次写入型双面光盘的研究与设计第26-28页
        3.2.1 双面光盘的结构第26-27页
        3.2.2 双面光盘的记录和读取方式第27-28页
        3.2.3 双面光盘的制备方法第28页
    3.3 基于氮化铜薄膜一次写入型多层波导光存储器的研究与设计第28-30页
        3.3.1 多层波导光存储器的结构第28-29页
        3.3.2 多层波导光存储器的记录和读取方式第29页
        3.3.3 多层波导光存储器的制备方法第29-30页
    3.4 本章小结第30-31页
第四章 基于氮化铜薄膜光存储器的制备及信息记录研究第31-38页
    4.1 基于氮化铜薄膜一次写入型光盘样品的制备第31-35页
        4.1.1 磁控溅射仪器介绍第31-33页
        4.1.2 利用磁控溅射的方法制备氮化铜薄膜第33-34页
        4.1.3 利用氮化铜薄膜制备一次写入型光盘样品第34页
        4.1.4 样品制备结果第34-35页
    4.2 基于氮化铜薄膜一次写入型光盘样品的信息记录第35-37页
        4.2.1 Surelite 激光器介绍第35页
        4.2.2 掩模板介绍第35-36页
        4.2.3 光盘样品的信息记录第36-37页
        4.2.4 信息记录结果第37页
    4.3 本章小结第37-38页
第五章 基于氮化铜薄膜光存储器的信息读取及性能研究第38-47页
    5.1 基于氮化铜薄膜一次写入型光盘样品的信息读取第38-41页
        5.1.1 激光扫描共聚焦显微镜介绍第38-39页
        5.1.2 光盘样品的信息读取第39页
        5.1.3 信息读取结果第39-41页
    5.2 基于氮化铜薄膜光存储器的性能研究第41-46页
        5.2.1 信息记录前后 X 射线衍射谱(XRD)分析第41-42页
        5.2.2 信息记录前后扫描电子显微镜图(SEM)分析第42-44页
        5.2.3 信息记录前后 X 射线能谱(EDS)分析第44-46页
    5.3 本章小结第46-47页
第六章 总结与展望第47-49页
    6.1 总结第47-48页
    6.2 展望第48-49页
参考文献第49-55页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第55-56页
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利第56-57页
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目第57-58页
致谢第58页

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