摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第7-12页 |
1.1 引言 | 第7页 |
1.2 GaN材料和GaN HEMT器件的优势 | 第7-9页 |
1.3 国内外GaN功率器件研究现状 | 第9-10页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第10-12页 |
第2章 功率放大器基本理论 | 第12-27页 |
2.1 功率放大器主要性能指标 | 第12-15页 |
2.2 功率放大器类别 | 第15-17页 |
2.3 稳定性分析 | 第17-19页 |
2.4 功率匹配 | 第19-21页 |
2.5 负载牵引 | 第21-27页 |
第3章 内匹配技术 | 第27-38页 |
3.1 匹配网络 | 第27-32页 |
3.2 校准件设计 | 第32-36页 |
3.3 管壳寄生参数模型 | 第36-38页 |
第4章 C波段30W GaN基功率放大器的设计 | 第38-58页 |
4.1 管芯性能分析 | 第38-44页 |
4.1.1 直流偏置 | 第38-40页 |
4.1.2 小信号S参数仿真 | 第40-43页 |
4.1.3 最佳阻抗的选取 | 第43-44页 |
4.2 内匹配设计 | 第44-53页 |
4.2.1 内匹配电路的结构 | 第44-46页 |
4.2.2 微带线设计 | 第46-48页 |
4.2.3 T型网络设计 | 第48-50页 |
4.2.4 匹配电路的优化与仿真 | 第50-52页 |
4.2.5 金丝电感的实现 | 第52-53页 |
4.3 测试夹具设计 | 第53-58页 |
第5章 C波段30W GaN基功率放大器的的调试与测试 | 第58-69页 |
5.1 功率放大器测试系统 | 第58-60页 |
5.2 功率放大器调试中的几个重要问题 | 第60-65页 |
5.2.1 偏置点的选择 | 第60-61页 |
5.2.2 谐振点的位置 | 第61-63页 |
5.2.3 匹配电容的影响 | 第63-65页 |
5.3 夹具测试结果 | 第65-69页 |
第6章 总结 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
致谢 | 第75-76页 |