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C波段GaN宽带功率放大器的研制

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第7-12页
    1.1 引言第7页
    1.2 GaN材料和GaN HEMT器件的优势第7-9页
    1.3 国内外GaN功率器件研究现状第9-10页
    1.4 本论文的主要研究内容第10-12页
第2章 功率放大器基本理论第12-27页
    2.1 功率放大器主要性能指标第12-15页
    2.2 功率放大器类别第15-17页
    2.3 稳定性分析第17-19页
    2.4 功率匹配第19-21页
    2.5 负载牵引第21-27页
第3章 内匹配技术第27-38页
    3.1 匹配网络第27-32页
    3.2 校准件设计第32-36页
    3.3 管壳寄生参数模型第36-38页
第4章 C波段30W GaN基功率放大器的设计第38-58页
    4.1 管芯性能分析第38-44页
        4.1.1 直流偏置第38-40页
        4.1.2 小信号S参数仿真第40-43页
        4.1.3 最佳阻抗的选取第43-44页
    4.2 内匹配设计第44-53页
        4.2.1 内匹配电路的结构第44-46页
        4.2.2 微带线设计第46-48页
        4.2.3 T型网络设计第48-50页
        4.2.4 匹配电路的优化与仿真第50-52页
        4.2.5 金丝电感的实现第52-53页
    4.3 测试夹具设计第53-58页
第5章 C波段30W GaN基功率放大器的的调试与测试第58-69页
    5.1 功率放大器测试系统第58-60页
    5.2 功率放大器调试中的几个重要问题第60-65页
        5.2.1 偏置点的选择第60-61页
        5.2.2 谐振点的位置第61-63页
        5.2.3 匹配电容的影响第63-65页
    5.3 夹具测试结果第65-69页
第6章 总结第69-71页
参考文献第71-75页
致谢第75-76页

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