| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-15页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第13-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-24页 |
| 1.2.1 PECVD氮化硅薄膜工艺过程及质量控制研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2.1.1 PECVD氮化硅薄膜的特点 | 第15-16页 |
| 1.2.1.2 PECVD氮化硅薄膜质量控制研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.2 PECVD氮化硅薄膜制造过程质量控制的相关技术研究现状 | 第18-22页 |
| 1.2.2.1 多批次小批量制造过程质量控制 | 第19-20页 |
| 1.2.2.2 多元制造过程质量控制 | 第20-21页 |
| 1.2.2.3 多元制造过程异常信号识别 | 第21-22页 |
| 1.2.3 研究现状分析 | 第22-24页 |
| 1.3 科学问题 | 第24-25页 |
| 1.4 研究内容和创新点 | 第25-29页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第25-28页 |
| 1.4.2 创新点 | 第28-29页 |
| 1.5 论文的组织结构和章节安排 | 第29-30页 |
| 1.6 本章小结 | 第30-33页 |
| 第二章 PECVD氮化硅薄膜工艺及其质量控制模型 | 第33-53页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 太阳电池的工艺过程 | 第33-37页 |
| 2.3 PECVD氮化硅薄膜制造过程分析 | 第37-42页 |
| 2.3.1 PECVD氮化硅薄膜工艺过程分析 | 第37-39页 |
| 2.3.2 PECVD氮化硅薄膜的作用分析 | 第39-41页 |
| 2.3.3 PECVD设备特点分析 | 第41-42页 |
| 2.4 PECVD氮化硅薄膜制造过程质量特征和影响因素 | 第42-46页 |
| 2.4.1 PECVD氮化硅薄膜质量特征分析 | 第43-44页 |
| 2.4.2 PECVD氮化硅薄膜质量的影响因素分析 | 第44-46页 |
| 2.5 PECVD氮化硅薄膜制造过程质量控制模型 | 第46-52页 |
| 2.5.1. PECVD氮化硅薄膜制造过程质量控制的特点 | 第46-49页 |
| 2.5.2. 构建质量控制模型 | 第49-52页 |
| 2.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 PECVD氮化硅薄膜工艺参数优化方法 | 第53-73页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 参数优化的模拟模型 | 第53-55页 |
| 3.3 工艺参数和质量特性之间的关系 | 第55-61页 |
| 3.3.1 单因素影响试验 | 第55-57页 |
| 3.3.2 各因素对薄膜质量特性的影响曲线及拟合公式 | 第57-61页 |
| 3.4 多工艺参数优化方法 | 第61-67页 |
| 3.4.1 试验设计方案 | 第61-62页 |
| 3.4.2 模拟计算 | 第62-64页 |
| 3.4.3 综合评分 | 第64-66页 |
| 3.4.4 优化分析 | 第66-67页 |
| 3.5 应用案例研究 | 第67-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 基于路径图的PECVD氮化硅薄膜制造过程故障诊断方法 | 第73-93页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 基于多元统计过程的故障诊断基本原理和方法 | 第74-75页 |
| 4.3 氮化硅薄膜沉积过程故障路径图构建 | 第75-78页 |
| 4.3.1 路径图的定义 | 第75-76页 |
| 4.3.2 路径图的构建 | 第76-78页 |
| 4.4 PECVD氮化硅薄膜制造过程故障诊断模型 | 第78-87页 |
| 4.4.1 失控信号的识别 | 第78-79页 |
| 4.4.2 MYT正交分解法 | 第79-81页 |
| 4.4.3 基于路径图的MYT分解 | 第81-84页 |
| 4.4.4 控制界限的建立 | 第84-85页 |
| 4.4.5 故障诊断模型 | 第85-87页 |
| 4.5 应用案例研究 | 第87-91页 |
| 4.5.1 案例验证 | 第87-88页 |
| 4.5.2 诊断模型的准确性研究 | 第88-89页 |
| 4.5.3 路径图诊断模型与MYT方法对比研究 | 第89-91页 |
| 4.6 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 基于贝叶斯理论的PECVD氮化硅薄膜制造过程初期质量控制方法 | 第93-113页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 传统方法的PCIs和控制限的计算 | 第93-96页 |
| 5.3 贝叶斯理论及方法 | 第96-98页 |
| 5.4 基于EWMA和贝叶斯理论的统计过程控制 | 第98-107页 |
| 5.4.1 历史数据的筛选和统计变换 | 第98页 |
| 5.4.2 过程方差的一致性检验 | 第98-100页 |
| 5.4.3 过程均值的一致性检验 | 第100-101页 |
| 5.4.4 基于EWMA和贝叶斯理论的过程均值估计方法 | 第101-103页 |
| 5.4.5 基于EWMA和贝叶斯理论的过程方差估计方法 | 第103-105页 |
| 5.4.6 基于EWMA和贝叶斯理论的统计过程控制模型 | 第105-107页 |
| 5.5 应用案例研究 | 第107-112页 |
| 5.5.1 PCIs验证 | 第108-110页 |
| 5.5.2 控制线验证 | 第110-112页 |
| 5.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 两种失控模式下PECVD氮化硅薄膜多元统计过程质量控制方法 | 第113-133页 |
| 6.1 引言 | 第113页 |
| 6.2 MEWMA控制方法 | 第113-116页 |
| 6.3 总体协方差矩阵估值的构建 | 第116-118页 |
| 6.4 仿真研究 | 第118-127页 |
| 6.4.1 基于总体协方差矩阵估值的统计量定义 | 第118-119页 |
| 6.4.2 均值向量发生阶跃偏移时多元控制图的特性研究 | 第119-123页 |
| 6.4.3 均值向量发生单向持续偏移时多元控制图特性研究 | 第123-127页 |
| 6.5 仿真结果分析及控制图构建 | 第127-128页 |
| 6.6 应用案例研究 | 第128-131页 |
| 6.7 本章小结 | 第131-133页 |
| 第七章 总结与展望 | 第133-137页 |
| 7.1 研究总结 | 第133-135页 |
| 7.1.1 研究工作 | 第133-134页 |
| 7.1.2 主要创新点 | 第134-135页 |
| 7.2 展望 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-151页 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 | 第151-152页 |
| 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第152-153页 |
| 致谢 | 第153-155页 |
