| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 论文主要工作 | 第11页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第11-13页 |
| 第2章 射频功率放大器的原理 | 第13-31页 |
| 2.1 功率放大器的分类 | 第13-23页 |
| 2.1.1 A类功率放大器 | 第13-14页 |
| 2.1.2 B类功率放大器 | 第14-15页 |
| 2.1.3 C类功率放大器 | 第15-16页 |
| 2.1.4 AB类功率放大器 | 第16-20页 |
| 2.1.5 D类功率放大器 | 第20-21页 |
| 2.1.6 E类功率放大器 | 第21-22页 |
| 2.1.7 F类功率放大器 | 第22-23页 |
| 2.2 功率放大器的性能参数 | 第23-27页 |
| 2.2.1 输出功率 | 第23页 |
| 2.2.2 效率 | 第23-24页 |
| 2.2.3 功率增益及增益平坦度 | 第24页 |
| 2.2.4 线性度 | 第24-26页 |
| 2.2.5 稳定性 | 第26-27页 |
| 2.3 功率放大器的线性化与效率提升技术 | 第27-31页 |
| 2.3.1 功率回退（Power Back-off）技术 | 第27页 |
| 2.3.2 前馈（Feedforward）技术 | 第27-28页 |
| 2.3.3 预失真（Predistortion）技术 | 第28页 |
| 2.3.4 包络消除与恢复（EER）技术 | 第28-29页 |
| 2.3.5 Doherty技术 | 第29-30页 |
| 2.3.6 LINC技术 | 第30-31页 |
| 第3章 SiGe BiCMOS工艺 | 第31-36页 |
| 3.1 SiGe HBT工艺的发展 | 第31-33页 |
| 3.2 SiGe的材料特征 | 第33页 |
| 3.3 0.18μm SiGe BiCMOS 7WL工艺 | 第33-34页 |
| 3.4 功率放大器实现的不同工艺比较 | 第34-36页 |
| 第4章 SiGe BiCMOS功率放大器的设计 | 第36-49页 |
| 4.1 功率放大器的电路结构 | 第36-38页 |
| 4.2 功率管的选择 | 第38-41页 |
| 4.2.1 功率管的重要参数 | 第39-40页 |
| 4.2.2 MOS晶体管与双极型晶体管的比较 | 第40页 |
| 4.2.3 本课题中功率管的应用 | 第40-41页 |
| 4.3 偏置电路设计 | 第41-43页 |
| 4.3.1 传统电阻偏置电路 | 第41-42页 |
| 4.3.2 自适应线性化偏置电路 | 第42-43页 |
| 4.4 匹配网络设计 | 第43-48页 |
| 4.4.1 史密斯（Smith）圆图 | 第44-45页 |
| 4.4.2 匹配网络的形式 | 第45-46页 |
| 4.4.3 共轭匹配与负载线匹配 | 第46-48页 |
| 4.5 稳定性设计 | 第48-49页 |
| 第5章 版图设计及测试 | 第49-59页 |
| 5.1 功率放大器的版图设计 | 第49-52页 |
| 5.1.1 版图设计规则概述 | 第49页 |
| 5.1.2 无源器件的版图设计 | 第49-51页 |
| 5.1.3 功率放大器的版图设计 | 第51-52页 |
| 5.2 功率放大器的仿真结果 | 第52-55页 |
| 5.3 功率放大器的测试 | 第55-59页 |
| 第6章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 6.1 总结 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
