CALYSPO表面吸附和界面结构预测方法及应用
| 论文提要 | 第5-7页 |
| 中文摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 表面吸附简介 | 第16-17页 |
| 1.2 界面材料简介 | 第17-18页 |
| 1.3 理论结构预测的意义 | 第18-21页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第21-22页 |
| 第二章 量子力学及第一性原理理论背景 | 第22-32页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.1.1 Hartree-Fock近似 | 第23-24页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第24-26页 |
| 2.1.4 局域密度近似 | 第26页 |
| 2.1.5 广义梯度近似 | 第26页 |
| 2.1.6 紧束缚近似方法 | 第26-27页 |
| 2.2 电子结构计算方法 | 第27-32页 |
| 2.2.1 原子轨道基组方法 | 第27-28页 |
| 2.2.2 平面波基组 | 第28-29页 |
| 2.2.3 赝势方法 | 第29-30页 |
| 2.2.4 自洽方法 | 第30-32页 |
| 第三章 晶体结构预测方法简介 | 第32-38页 |
| 3.1 随机取样算法 | 第32-33页 |
| 3.2 遗传算法 | 第33页 |
| 3.3 模拟退火算法 | 第33-34页 |
| 3.4 盆地跳跃算法 | 第34-35页 |
| 3.5 极小值跳跃方法 | 第35页 |
| 3.6 巨动力学方法 | 第35页 |
| 3.7 粒子群优化算法 | 第35-38页 |
| 第四章 表面与界面材料基础理论知识 | 第38-48页 |
| 4.1 超胞模型表示方法 | 第38-39页 |
| 4.1.1 Wood标记法 | 第38-39页 |
| 4.1.2 矩阵标记法 | 第39页 |
| 4.2 平面空间群 | 第39-42页 |
| 4.3 界面结构理论模型 | 第42-44页 |
| 4.3.1 薄板模型 | 第42-44页 |
| 4.3.2 对称界面模型 | 第44页 |
| 4.4 晶界结构理论基础 | 第44-48页 |
| 4.4.1 位错模型 | 第45-46页 |
| 4.4.2 重合位置点阵模型 | 第46-48页 |
| 第五章 CALYPSO表面吸附结构预测方法及应用 | 第48-66页 |
| 5.1 随机产生吸附原子位置 | 第50-53页 |
| 5.1.1 固定吸附点技术 | 第50-51页 |
| 5.1.2 基于对称性限制产生结构 | 第51-53页 |
| 5.1.3 原子间最小距离限制 | 第53页 |
| 5.2 排除相似结构 | 第53-54页 |
| 5.3 结构演化 | 第54-55页 |
| 5.4 局域优化 | 第55-56页 |
| 5.5 测试实例 | 第56-64页 |
| 5.5.1 氢化硅(001)表面 | 第56页 |
| 5.5.2 氢化石墨烯 | 第56-61页 |
| 5.5.3 氧化石墨烯 | 第61-63页 |
| 5.5.4 石墨烯吸附水 | 第63-64页 |
| 5.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 氧吸附锆(0001)表面的第一性原理研究 | 第66-78页 |
| 6.1 背景介绍 | 第66-67页 |
| 6.2 计算细节 | 第67-68页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第68-76页 |
| 6.3.1 单层吸附模型 | 第68-70页 |
| 6.3.2 多层吸附模型 | 第70-72页 |
| 6.3.3 层间距变化 | 第72-73页 |
| 6.3.4 电子结构 | 第73-74页 |
| 6.3.5 功函数 | 第74-76页 |
| 6.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第七章 CALYPSO界面结构预测方法及应用 | 第78-98页 |
| 7.1 晶格匹配 | 第80-83页 |
| 7.2 配位数及键长限制产生结构 | 第83-87页 |
| 7.3 相对晶格平移矢量 | 第87-88页 |
| 7.4 测试结果 | 第88-96页 |
| 7.4.1 计算细节 | 第88-89页 |
| 7.4.2 石墨烯晶界 | 第89-90页 |
| 7.4.3 TiO_2金红石相晶界 | 第90-96页 |
| 7.5 本章小结 | 第96-98页 |
| 第八章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 作者简介及科研成果 | 第114-116页 |
| 攻读研究生期间公开发表的学术论文 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
