摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-30页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 半导体材料研究简介 | 第11-13页 |
1.2.1 半导体材料研究进展 | 第11-12页 |
1.2.2 半导体材料光催化机理 | 第12-13页 |
1.3 石墨相氮化碳简介 | 第13-22页 |
1.3.1 石墨相氮化碳的基本性质 | 第13-17页 |
1.3.2 石墨相氮化碳的应用领域 | 第17-22页 |
1.4 氮化碳研究现状及改善方法 | 第22-26页 |
1.4.1 氮化碳研究现状 | 第22-24页 |
1.4.2 改善氮化碳性能的方法 | 第24-26页 |
1.5 氮化碳在光电领域应用及本论文研究意义 | 第26-30页 |
1.5.1 氮化碳在光电领域应用现状 | 第26-28页 |
1.5.2 本论文研究内容及创新点 | 第28-30页 |
第二章 球磨法对氮化碳进行结构调控及其光电性能研究 | 第30-42页 |
2.1 前言 | 第30页 |
2.2 实验部分 | 第30-33页 |
2.2.1 试剂与仪器 | 第30-31页 |
2.2.2 氮化碳材料制备 | 第31-32页 |
2.2.3 氮化碳材料的光电流响应测试方法 | 第32-33页 |
2.3 结果讨论和分析 | 第33-39页 |
2.3.1 氮化碳材料的形貌表征和比表面积分析 | 第33-36页 |
2.3.2 氮化碳材料的FT-IR和晶体结构表征及分析 | 第36-37页 |
2.3.3 氮化碳材料的紫外吸收表征和分析 | 第37-38页 |
2.3.4 球磨时间对氮化碳材料粒径的影响分析 | 第38-39页 |
2.4 氮化碳材料的光电流测试结果与讨论 | 第39-41页 |
2.5 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 不同尺寸氮化碳的制备及光电极的构造对其光电性能的影响探究 | 第42-57页 |
3.1 前言 | 第42-43页 |
3.2 实验部分 | 第43-46页 |
3.2.1 试剂与仪器 | 第43-44页 |
3.2.2 不同尺寸石墨相氮化碳的制备 | 第44页 |
3.2.3 氮化碳材料的光电流响应测试方法 | 第44-46页 |
3.3 结果讨论与分析 | 第46-50页 |
3.3.1 三种尺寸氮化碳的形貌表征和分析 | 第46-47页 |
3.3.2 三种尺寸氮化碳的N2脱吸附测和紫外可见光谱表征及分析 | 第47-48页 |
3.3.3 三种尺寸氮化碳的红外光谱和X射线衍射光谱表征及分析 | 第48-50页 |
3.4 不同成膜方法对三种尺寸氮化碳光电化学性质的影响探究 | 第50-56页 |
3.4.1 加PEDOT-PSS成膜的光电流测试结果与讨论 | 第50-53页 |
3.4.2 加Nafion成膜的光电流测试结果与讨论 | 第53-55页 |
3.4.3 直接成膜的光电流测试结果与讨论 | 第55-56页 |
3.5 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 总结与展望 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-71页 |
在校期间学术成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |