| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 功率器件概述 | 第10-11页 |
| 1.2 功率MOSFET的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外现状与选题意义 | 第12-16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 TRENCH MOSFET的基本原理和参数分析 | 第18-30页 |
| 2.1 TRENCH MOSFET的基本工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2 TRENCH MOSFET的静态电学参数 | 第19-23页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第19-20页 |
| 2.2.2 击穿电压BV | 第20页 |
| 2.2.3 导通电阻 | 第20-23页 |
| 2.3 TRENCH MOSFET的动态电学参数 | 第23-26页 |
| 2.3.1 栅电容 | 第23-24页 |
| 2.3.2 栅电荷 | 第24-26页 |
| 2.3.3 反向恢复特性 | 第26页 |
| 2.4 终端理论 | 第26-29页 |
| 2.4.1 场限环+场板终端结构 | 第27-28页 |
| 2.4.2 深槽终端结构 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 新结构的工作原理及电学特性仿真 | 第30-50页 |
| 3.1 新结构BFP-TDMOS的原理 | 第30-32页 |
| 3.2 BFP-TDMOS元胞设计 | 第32-43页 |
| 3.2.1 元胞尺寸 | 第34-36页 |
| 3.2.2 漂移区掺杂浓度 | 第36-37页 |
| 3.2.3 沟槽深度 | 第37-40页 |
| 3.2.4 元胞仿真结果 | 第40-43页 |
| 3.3 BFP-TDMOS与SPLIT-GATE电学参数对比 | 第43-48页 |
| 3.3.1 SPLIT-GATE结构的设计 | 第43-44页 |
| 3.3.2 静态电学参数的对比 | 第44-46页 |
| 3.3.3 动态电学参数的对比 | 第46-48页 |
| 3.4 与国内外主流产品的对比 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 40V BFP-TDMOS工艺流程设计 | 第50-65页 |
| 4.1 工艺设计 | 第50-52页 |
| 4.1.1 工艺流程设计 | 第50页 |
| 4.1.2 关键工艺流程 | 第50-52页 |
| 4.2 元胞的工艺仿真 | 第52-61页 |
| 4.2.1 外延层厚度 | 第52-53页 |
| 4.2.2 P型基区注入剂量 | 第53-56页 |
| 4.2.3 N型轻掺杂区的注入剂量 | 第56-57页 |
| 4.2.4 工艺仿真结果 | 第57-61页 |
| 4.3 终端的工艺仿真 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69页 |