| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 一维纳米材料概述 | 第14-21页 |
| 1.2.1 纳米线制备方法 | 第17-20页 |
| 1.2.2 一维纳米结构的生长机理 | 第20-21页 |
| 1.3 碳基纳米材料研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3.1 金属催化法研究现状 | 第22-23页 |
| 1.3.2 碳化硅纳米线研究现状 | 第23-25页 |
| 1.3.3 金属催化法的转变机制 | 第25-26页 |
| 1.4 碳化硅纳米线 | 第26-31页 |
| 1.4.1 碳化硅晶体结构 | 第26-28页 |
| 1.4.2 碳化硅纳米线的制备 | 第28-31页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 材料制备及实验方法 | 第33-40页 |
| 2.1 实验设计 | 第33-34页 |
| 2.2 Ni和a-C薄膜的制备 | 第34-37页 |
| 2.2.1 Ni和a-C薄膜的制备材料 | 第34页 |
| 2.2.2 Ni和a-C薄膜的工艺过程 | 第34-37页 |
| 2.3 碳化硅纳米线制备工艺 | 第37页 |
| 2.4 制备样品的表征 | 第37-40页 |
| 2.4.1 表面形貌及成分表征 | 第37-38页 |
| 2.4.2 晶体结构表征 | 第38页 |
| 2.4.3 光电性能表征 | 第38-39页 |
| 2.4.4 润湿性测试 | 第39页 |
| 2.4.5 电学性能测试 | 第39-40页 |
| 第3章 Ni/a-C/Si叠层结构催化制备碳化硅纳米线 | 第40-57页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 碳化硅纳米线的制备 | 第40页 |
| 3.3 碳化硅纳米线的表征 | 第40-44页 |
| 3.3.1 碳化硅纳米线晶体结构 | 第40-41页 |
| 3.3.2 碳化硅纳米线表面形貌 | 第41-44页 |
| 3.4 温度对碳化硅纳米线形成的影响 | 第44-46页 |
| 3.5 镍催化碳化硅纳米线形成机理 | 第46-51页 |
| 3.6 光电性能 | 第51-55页 |
| 3.6.1 光致发光性能 | 第51-54页 |
| 3.6.2 拉曼性能 | 第54-55页 |
| 3.7 本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 制备工艺对碳化硅纳米线的影响 | 第57-68页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 前驱体Ni及a-C对碳化硅纳米线制备的影响 | 第57-59页 |
| 4.2.1 前驱体Ni及a-C叠放顺序的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.2 共溅射前驱体制备碳化硅纳米线 | 第58-59页 |
| 4.3 氧气对碳化硅纳米线的生长的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 制备温度对碳化硅纳米线形貌的影响 | 第60-63页 |
| 4.5 保温时间对碳化硅纳米线的影响 | 第63-64页 |
| 4.6 冷却工艺的影响 | 第64-66页 |
| 4.6.1 冷却工艺对表面形貌的影响 | 第64-66页 |
| 4.6.2 冷却工艺对晶体结构的影响 | 第66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-68页 |
| 第5章 超疏水碳化硅纳米线/碳纳米管复合结构的制备及光电性能 | 第68-84页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 碳化硅纳米线/碳纳米管复合结构 | 第68-70页 |
| 5.2.1 表面形貌 | 第68-69页 |
| 5.2.2 晶体结构 | 第69-70页 |
| 5.3 AL掺杂含量的影响 | 第70-71页 |
| 5.4 复合结构形成机理 | 第71-73页 |
| 5.5 碳化硅纳米线/碳纳米管的光电性能 | 第73-75页 |
| 5.5.1 拉曼光谱 | 第73-74页 |
| 5.5.2 光致发光性能 | 第74-75页 |
| 5.6 疏水性能 | 第75-83页 |
| 5.6.1 润湿性能 | 第76-77页 |
| 5.6.2 超疏水性能分析 | 第77-82页 |
| 5.6.3 疏水性能的稳定性 | 第82-83页 |
| 5.7 本章小结 | 第83-84页 |
| 第6章 碳化硅纳米线的定向生长及电学性能 | 第84-97页 |
| 6.1 前言 | 第84页 |
| 6.2 定向生长的碳化硅纳米线阵列 | 第84-90页 |
| 6.2.1 碳化硅纳米线阵列的制备 | 第84-85页 |
| 6.2.2 碳化硅纳米线阵列的表面形貌 | 第85-87页 |
| 6.2.3 碳化硅纳米线的微结构 | 第87-88页 |
| 6.2.4 碳化硅纳米线的定向生长 | 第88-89页 |
| 6.2.5 碳化硅纳米线阵列的光致发光性能 | 第89-90页 |
| 6.3 场效应传感器的制备 | 第90-96页 |
| 6.3.1 碳化硅纳米线FET的制备 | 第91-94页 |
| 6.3.2 碳化硅纳米线FET的电学性能 | 第94-96页 |
| 6.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历 | 第116页 |
