| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 引言 | 第7-10页 |
| 1.2 二维系统的基本物理性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 传统的二维电子气 | 第10页 |
| 1.2.2 硅烯二维结构和基本电子性质 | 第10-14页 |
| 1.3 自旋电子学与谷电子学 | 第14-18页 |
| 1.3.1 自旋电子学发展及应用 | 第14-17页 |
| 1.3.2 谷电子学的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 研究内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 哈密顿量和硅烯电子结构及相关的理论研究方法 | 第20-37页 |
| 2.1 哈密顿量 | 第20-21页 |
| 2.1.1 薛定谔方程 | 第20-21页 |
| 2.1.2 原子紧束缚与有效质量模型 | 第21页 |
| 2.2 硅烯的电子结构 | 第21-24页 |
| 2.3 理论研究方法 | 第24-32页 |
| 2.3.1 矩阵对角化 | 第24-25页 |
| 2.3.2 递归格林函数 | 第25-26页 |
| 2.3.3 非平衡格林函数(NEGF)方法 | 第26-29页 |
| 2.3.4 波函数匹配法 | 第29-32页 |
| 2.4 异质结的传统理论 | 第32-37页 |
| 第三章 铁磁性硅烯结上可控谷和自旋的输运 | 第37-43页 |
| 3.1 铁磁性硅烯结的哈密顿量和输运参数 | 第37-39页 |
| 3.2 铁磁性硅烯结的输运 | 第39-42页 |
| 3.3 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 硅烯np结上电场可控的自旋和谷极化输运 | 第43-51页 |
| 4.1 研究背景 | 第43页 |
| 4.2 模型和理论 | 第43-46页 |
| 4.2.1 模型 | 第43-44页 |
| 4.2.2 理论 | 第44-46页 |
| 4.3 硅烯np结的自旋和谷极化输运 | 第46-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结和展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第57-58页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |