| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 表面等离子体的发展及应用 | 第10-11页 |
| 1.2 表面等离子体在激光器中的研究意义及研究现状 | 第11-19页 |
| 1.2.1 表面等离子体激光器的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2.2 表面等离子体在激光器中的研究现状 | 第12-19页 |
| 1.3 本论文的研究工作 | 第19-22页 |
| 第2章 VCSEL和表面等离子体基本理论 | 第22-50页 |
| 2.1 VCSEL基本理论 | 第22-25页 |
| 2.1.1 VCSEL的结构及工作原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 VCSEL的特性 | 第24-25页 |
| 2.2 表面等离子体基本理论 | 第25-43页 |
| 2.2.1 金属-介质界面处表面等离子体的基本特性 | 第26-33页 |
| 2.2.1.1 表面等离子体的电磁场特性 | 第26-28页 |
| 2.2.1.2 金属表面等离子体的色散特性 | 第28-33页 |
| 2.2.2 金属包覆介质波导的场分布理论 | 第33-43页 |
| 2.2.2.1 金属包覆三层平板波导的场分布 | 第33-37页 |
| 2.2.2.2 金属包覆五层MISIM平板波导的场分布 | 第37-41页 |
| 2.2.2.3 金属包覆介质圆柱形波导的场分布 | 第41-43页 |
| 2.3 基于表面等离子体的VCSEL工作原理 | 第43-48页 |
| 2.3.1 基于表面等离子体的VCSEL的小型化原理 | 第43-44页 |
| 2.3.2 隔离钝化层对金属腔VCSEL的影响 | 第44-45页 |
| 2.3.3 表面等离子体波导结构VCSEL的设计 | 第45-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 基于表面等离子体的VCSEL的制备及测试 | 第50-64页 |
| 3.1 基于表面等离子体的VCSEL的工艺制备 | 第50-55页 |
| 3.1.1 基于表面等离子体的VCSEL的工艺流程 | 第50-52页 |
| 3.1.2 ICP刻蚀机制及规律 | 第52-54页 |
| 3.1.3 ICP刻蚀VCSEL微米柱及转移 | 第54-55页 |
| 3.2 基于表面等离子体的VCSEL的PL测试原理及测试设备 | 第55-62页 |
| 3.2.1 光致发光光谱测试原理与系统 | 第55-56页 |
| 3.2.2 外延片多量子阱样品的PL测试与分析 | 第56-59页 |
| 3.2.3 VCSEL微米柱的PL测试与分析 | 第59-62页 |
| 3.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 VCSEL阵列器件的工艺制备与测试结果分析 | 第64-82页 |
| 4.1 引言 | 第64-66页 |
| 4.1.1 高功率VCSEL的研究背景及进展 | 第64-65页 |
| 4.1.2 VCSEL阵列功率转换效率的研究背景及进展 | 第65-66页 |
| 4.2 VCSEL阵列的关键工艺制备 | 第66-69页 |
| 4.2.1 VCSEL阵列器件工艺流程 | 第66-67页 |
| 4.2.2 VCSEL阵列的化学湿法腐蚀工艺 | 第67-68页 |
| 4.2.3 VCSEL阵列的选择性湿氮氧化工艺 | 第68-69页 |
| 4.3 VCSEL阵列器件的测试结果及分析 | 第69-74页 |
| 4.3.1 C-mount封装和传统To封装VCSEL阵列的LIV特性 | 第69-70页 |
| 4.3.2 VCSEL阵列器件的光谱特性 | 第70-71页 |
| 4.3.3 不同单元数目、单元间距VCSEL阵列的LIV特性 | 第71-73页 |
| 4.3.4 不同氧化孔径的 4×4 VCSEL阵列远场特性 | 第73-74页 |
| 4.4 VCSEL阵列器件的功率转换效率模型及结果讨论 | 第74-81页 |
| 4.4.1 VCSEL阵列器件特性分析 | 第74-77页 |
| 4.4.2 VCSEL阵列功率转换效率经验模型 | 第77-78页 |
| 4.4.3 VCSEL阵列功率转换效率结果讨论 | 第78-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
