| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 引言 | 第13-15页 |
| 1 研究背景与意义 | 第13-14页 |
| 2 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第一章 (n,2n)反应截面测量方法综述 | 第15-26页 |
| ·中子与物质的相互作用 | 第15-19页 |
| ·势散射 | 第15-16页 |
| ·直接作用 | 第16页 |
| ·复合核的形成 | 第16-19页 |
| ·(n,2n)反应截面测量方法综述 | 第19-26页 |
| ·活化法 | 第19-20页 |
| ·瞬发γ射线法 | 第20页 |
| ·替代法 | 第20-21页 |
| ·直接中子法 | 第21-26页 |
| 第二章 ~3He正比计数管探测中子的基本原理 | 第26-31页 |
| ·~3He正比计数管结构 | 第26页 |
| ·~3He正比计数管工作原理 | 第26-31页 |
| ·核反应及次级离子的能量损失和射程 | 第27-28页 |
| ·碰撞电离和气体放大 | 第28-29页 |
| ·输出脉冲 | 第29-31页 |
| 第三章 蒙特卡罗(M-C)方法和MCNP程序 | 第31-36页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第31页 |
| ·粒子输运问题蒙特卡罗模拟的步骤 | 第31-32页 |
| ·粒子输运的物理过程 | 第31页 |
| ·蒙特卡罗技巧 | 第31-32页 |
| ·粒子的状态参数 | 第32页 |
| ·粒子输运过程中有关分布的抽样方法 | 第32页 |
| ·MCNP程序及中子输运模拟简介 | 第32-34页 |
| ·简单的物理处理过程 | 第33页 |
| ·详细的物理处理过程 | 第33-34页 |
| ·MCNP程序应用中应该注意的问题 | 第34-36页 |
| 第四章 ~3He正比计数管性能研究及4π中子探测器的初步设计参数 | 第36-47页 |
| ·慢化体材料的确定 | 第36-39页 |
| ·~3He正比计数管探测效率模拟研究 | 第39-43页 |
| ·~3He正比计数管探测效率定义及影响因素 | 第39-40页 |
| ·探测效率与聚乙烯慢化体厚度关系的MCNP模拟研究 | 第40-41页 |
| ·探测效率与入射中子能量的关系 | 第41-42页 |
| ·探测效率与探测距离的关系 | 第42-43页 |
| ·探测效率的实验测试及与模拟结果的比较 | 第43-44页 |
| ·~3He正比计数管实验测试和筛选 | 第44-47页 |
| ·实验装置 | 第44-45页 |
| ·测量结果及分析 | 第45-47页 |
| 第五章 4π球形~3He中子探测器整体性能的初步模拟研究 | 第47-54页 |
| ·MCNP模型建立 | 第47-48页 |
| ·中子探测效率计算 | 第48-49页 |
| ·Am-Be中子源能谱模拟 | 第49-50页 |
| ·中子能量响应计算 | 第50-53页 |
| ·4π中子探测器测量(n,2n)反应截面的方法 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| ·结果及结论 | 第54-55页 |
| ·讨论和展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 在学期间的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录一 单根管MCNP程序输入文件 | 第61-63页 |
| 附录二 4π球形探测器MCNP程序输入文件 | 第63-80页 |
